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IRFR18N15D詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 18A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫歐 @ 11A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：43nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：900pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRFR18N15DPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 18A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫歐 @ 11A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：43nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：900pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRFR18N15DTR詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 18A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫歐 @ 11A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：43nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：900pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR18N15DTRL詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 18A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫歐 @ 11A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：43nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：900pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR18N15DTRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 18A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫歐 @ 11A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：43nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：900pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

IRFR18N15DTRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 18A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫歐 @ 11A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：43nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：900pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

FCD121400TP
保險絲 Littelfuse Inc 1206（3216 公制） FUSE FAST-ACT 4A 32V 1206 SMD
F2700CA06
電源輸入 - 模塊 Curtis Industries 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） POWER ENTRY FILTERED 6A FASTON
IRFR15N20DTRLP
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 200V 17A DPAK
IDT49FCT3805AQGI8
時鐘/計時 - 時鐘緩沖器，驅(qū)動器 IDT, Integrated Device Technology Inc 20-SSOP（0.154"，3.90mm 寬） IC CLK BUFFER 1:5 100MHZ 20-QSOP
CST4104
箱 Hammond Manufacturing BOX STEEL 48X6X4" GREY
GTC02R-28-21S
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 37POS BOX MNT W/SCKT
IRFR15N20DTRPBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 200V 17A DPAK
CST4203
箱 Hammond Manufacturing BOX STEEL 48X8X5" GREY
FCD121500TP
保險絲 Littelfuse Inc 1206（3216 公制） FUSE FAST-ACT 5A 32V 1206 SMD
GTC02R-28-51SWLC
圓形 - 外殼 Amphenol Industrial Operations CONN HSG RCPT 12POS BOX MT SCKT
IDT49FCT3805AQI8
時鐘/計時 - 時鐘緩沖器，驅(qū)動器 IDT, Integrated Device Technology Inc 20-SSOP（0.154"，3.90mm 寬） IC CLK BUFFER 1:5 100MHZ 20-QSOP
CST4400
箱 Hammond Manufacturing BOX STEEL 48X10X6" GREY
IRFR18N15DTRR
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
CST4603
箱 Hammond Manufacturing BOX STEEL 48X10X6" GREY
FCD4N60TM
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK