IRFR4105TR 全國供應商、價格、PDF資料
IRFR4105TR詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：27A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 16A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V
- 功率_最大：68W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
IRFR4105TRL詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：27A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 16A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V
- 功率_最大：68W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
IRFR4105TRLPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：27A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 16A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V
- 功率_最大：68W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
IRFR4105TRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：27A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 16A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V
- 功率_最大：68W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：Digi-Reel®
IRFR4105TRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：27A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 16A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V
- 功率_最大：68W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
IRFR4105TRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：27A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 16A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V
- 功率_最大：68W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：剪切帶 (CT)
- 嵌入式 - CPLD（復雜可編程邏輯器件） Lattice Semiconductor Corporation 100-LQFP IC PLD 2112LUTS 100-TQFP
- DC DC Converters TDK-Lambda Americas Inc 8-DIP 模塊，1/4 磚 DC-DC PCB MOUNT QUARTER BRICK
- FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
- 陶瓷 Taiyo Yuden 1210（3225 公制） CAP CER 100UF 6.3V 20% X5R 1210
- 固定式 Johanson Technology Inc 0201（0603 公制） IND CER RF 3.9NH 0201
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Fairchild Semiconductor 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OPAMP QUAD HIGH GAIN 14-SOIC
- 固定式 Taiyo Yuden 0805（2012 公制） INDUCTOR 22UH 100MA 10% SMD
- 嵌入式 - CPLD（復雜可編程邏輯器件） Lattice Semiconductor Corporation 256-LBGA IC PLD 2112LUTS 256FTBGA
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 4700PF 200V X7R RADIAL
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Fairchild Semiconductor TO-220-3 IC REG LDO ADJ 1.5A TO-220
- 陶瓷 Taiyo Yuden 1210（3225 公制） CAP CER 100UF 6.3V 20% X5R 1210
- 固定式 Johanson Technology Inc 0201（0603 公制） CER INDUCTOR 4.3NH 0201
- 固定式 Taiyo Yuden 1007（2518 公制） INDUCTOR 2.2UH 480MA 20% SMD
- 按鈕 APEM Components, LLC 8-DIP 模塊，1/4 磚 SWITCH PUSH SPST-NO 0.2A 48V
- 嵌入式 - CPLD（復雜可編程邏輯器件） Lattice Semiconductor Corporation 132-LFBGA，CSPBGA IC PLD 2112LUTS 132-CSBGA
0755-22655674 
