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IRFU4104-701PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 42A IPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：42A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.5 毫歐 @ 42A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：89nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2950pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I-Pak; 包裝：管件

IRFU4104PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 42A I-PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：42A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.5 毫歐 @ 42A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：89nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2950pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I-Pak; 包裝：管件

IRFU4105詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 27A I-PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：27A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V; 功率_最大：68W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I-Pak; 包裝：管件

IRFU4105PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 27A I-PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：27A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V; 功率_最大：68W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I-Pak; 包裝：管件

IRFU4105Z詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：24.5 毫歐 @ 18A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 25V; 功率_最大：48W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I-Pak; 包裝：管件

IRFU4105ZPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：24.5 毫歐 @ 18A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 25V; 功率_最大：48W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I-Pak; 包裝：管件

ISC1812ERR82M
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 820NH 20% 1812
H48-6C-150-150-0.5-1A
熱 - 墊，片 t-Global Technology H48-6C SHEET 150X150X0.5MM W/ADH
IPW50R280CE
FET - 單 Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO247
IRFU3710ZPBF
FET - 單 International Rectifier TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB MOSFET N-CH 100V 42A I-PAK
GTS447H101HR
撥動開關(guān) CW Industries 徑向 SWITCH TOGGLE SPDT 12A 250V
ISC1812ES101J
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 100UH 5% 1812
IRFU3910
FET - 單 International Rectifier TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB MOSFET N-CH 100V 16A I-PAK
FDS6630A
FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC
IPW50R299CP
FET - 單 Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N-CH 550V 12A TO247-3
ISC1812ES120K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 12UH 10% 1812
GTS447N301HR
撥動開關(guān) CW Industries 徑向 SW TOGGLE SPST-NO 16A 250V
IRFU420
FET - 單 Vishay Siliconix TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA MOSFET N-CH 500V 2.4A I-PAK
FDS6670A
FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
H48-6C-320-320-1.0-1A
熱 - 墊，片 t-Global Technology H48-6C SHEET 320X320X1MM W/ADH
IPW60R125CP
FET - 單 Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N-CH 650V 25A TO-247