IRFU420 全國供應商、價格、PDF資料

IRFU420詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 500V 2.4A I-PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：500V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.4A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 1.4A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：360pF @ 25V

功率_最大：2.5W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA

供應商設備封裝：TO-251AA

包裝：管件

IRFU420APBF詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 500V 3.3A I-PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：500V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.3A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 1.5A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：340pF @ 25V

功率_最大：83W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA

供應商設備封裝：TO-251AA

包裝：管件

IRFU420PBF詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 500V 2.4A I-PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：500V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.4A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 1.4A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：360pF @ 25V

功率_最大：2.5W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA

供應商設備封裝：TO-251AA

包裝：管件

• FDS6630A

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC

• IPW50R299CP

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-247-3    MOSFET N-CH 550V 12A TO247-3

• H48-6C-150-150-0.5-2A

  熱 - 墊，片    t-Global Technology        H48-6C SHEET 150X150X0.5MM W/ADH

• IRFU4105ZPBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB    MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK

• ISC1812ES120K

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 12UH 10% 1812

• GTS447N301HR

  撥動開關    CW Industries    徑向    SW TOGGLE SPST-NO 16A 250V

• IRFU420

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA    MOSFET N-CH 500V 2.4A I-PAK

• FDS6670A

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

• H48-6C-320-320-1.0-1A

  熱 - 墊，片    t-Global Technology        H48-6C SHEET 320X320X1MM W/ADH

• ISC1812ES151K

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 150UH 10% 1812

• GJM0335C1E4R6BB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 4.6PF 25V NP0 0201

• IRFU430APBF

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA    MOSFET N-CH 500V 5A I-PAK

• FDS6675

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC

• H48-6C-640-320-1.0-0

  熱 - 墊，片    t-Global Technology        H48-6C SHEET 640X320X1MM

• IPW60R190C6

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-247-3    MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247