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IRFU5305 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

IRFU5305詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 55V 31A I-PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：31A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫歐 @ 16A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 25V

功率_最大：110W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-251-3 長(zhǎng)引線，IPak，TO-251AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：I-Pak

包裝：管件

IRFU5305PBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 55V 31A I-PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：31A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫歐 @ 16A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 25V

功率_最大：110W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-251-3 長(zhǎng)引線，IPak，TO-251AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：I-Pak

包裝：管件

• FDS6670A

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

• H48-6C-320-320-1.0-1A

  熱 - 墊，片    t-Global Technology        H48-6C SHEET 320X320X1MM W/ADH

• IPW60R125CP

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-247-3    MOSFET N-CH 650V 25A TO-247

• IRFU420PBF

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA    MOSFET N-CH 500V 2.4A I-PAK

• ISC1812ES151K

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 150UH 10% 1812

• GJM0335C1E4R6BB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 4.6PF 25V NP0 0201

• IRFU430APBF

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA    MOSFET N-CH 500V 5A I-PAK

• FDS6675

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC

• H48-6C-640-320-1.0-0

  熱 - 墊，片    t-Global Technology        H48-6C SHEET 640X320X1MM

• GJM0335C1E4R8BB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 4.8PF 25V NP0 0201

• ISC1812ES181J

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 180UH 5% 1812

• IRFU5505

  FET - 單    International Rectifier    TO-251-3 長(zhǎng)引線，IPak，TO-251AB    MOSFET P-CH 55V 18A I-PAK

• FDS6675BZ

  FET - 單    Fairchild Optoelectronics Group    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH 30V 8-SOIC

• IPW65R110CFD

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-247-3    MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247

• H48-6C-640-320-2.0-1A

  熱 - 墊，片    t-Global Technology        H48-6C SHEET 640X320X2MM W/ADH