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IRLL014詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 1.6A，5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.4nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：400pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-223; 包裝：管件

IRLL014NPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 2A SOT223; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫歐 @ 2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：230pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-223; 包裝：管件

IRLL014NTR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 2A SOT223; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫歐 @ 2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：230pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-223; 包裝：帶卷 (TR)

IRLL014NTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 2A SOT223; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫歐 @ 2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：230pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-223; 包裝：剪切帶 (CT)

IRLL014NTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 2A SOT223; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫歐 @ 2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：230pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-223; 包裝：帶卷 (TR)

IRLL014NTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 2A SOT223; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫歐 @ 2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：230pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-223; 包裝：Digi-Reel®

ISL88002IH44Z-T7A
PMIC - 監(jiān)控器 Intersil TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VOLT SUPERVISOR 4.38V SOT23-3
P51-1500-S-A-P-20MA-000-000
壓力 SSI Technologies Inc 不銹鋼 SENSOR 1500PSIS 1/4 NPT 4-20 MA
ISD4003-08MEY
接口 - 語音錄制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-TSSOP (0.465", 11.80mm 寬) IC VOICE REC/PLAY 8MIN 28-TSOP
IRLL014
FET - 單 Vishay Siliconix TO-261-4，TO-261AA MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
IRLR7807ZTRPBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
MPSW45AZL1G
晶體管(BJT) - 單路 ON Semiconductor TO-226-3，TO-92-3 長體成型引線 TRANS NPN DARL BIPO 1W 50V TO-92
P2Z9ABA900W16
SCR Powerex Inc 模塊 SCR MOD PWR-BRIK 1600V 520A
P0642SBLRP
TVS - 晶閘管 Littelfuse Inc DO-214AA，SMB SIDACTOR BI 58V 50A D0214
ISL88003IE16Z-T
PMIC - 監(jiān)控器 Intersil SC-70，SOT-323 IC VOLT SUPERVISOR 1.58V SC-70
IRLR7821PBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
P51-1500-S-B-MD-5V-000-000
壓力 SSI Technologies Inc 不銹鋼 SENSOR 1500PSIS 1/8 NPT 5V
P3002AB60
TVS - 晶閘管 Littelfuse Inc TO-220-3（SMT）標(biāo)片 SIDACTOR 2CH 140/280V 250A TO220
MPSW51ARLRA
晶體管(BJT) - 單路 ON Semiconductor TO-226-3，TO-92-3 長體成型引線 TRANS PNP GP BIPO 1W 40V TO-92
P0644UBRP
TVS - 晶閘管 Littelfuse Inc 6-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） SIDAC 4CHP 58/116V 250A MS-013
ISL88003IE22Z-T7A
PMIC - 監(jiān)控器 Intersil SC-70，SOT-323 IC VOLT SUPERVISOR 2.19V SC70-3