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庫存索引1
» 型號(hào)"LGY2G271MELC"的供應(yīng)信息
LGY2G271MELC 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料
型號(hào):
廠商:
批號(hào):
封裝:
按地區(qū):
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LGY2G271MELC詳細(xì)規(guī)格
類別:電容器
描述:CAP ALUM 270UF 400V 20% SNAP
系列:GY
制造商:Nichicon
電容:270µF
額定電壓:400V
容差:±20%
壽命0a0溫度:105°C 時(shí)為 7000 小時(shí)
工作溫度:-25°C ~ 105°C
特點(diǎn):通用
紋波電流:1.1A
ESR(等效串聯(lián)電阻):-
阻抗:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:徑向,Can - 卡入式
尺寸/尺寸:1.378" 直徑(35.00mm)
高度_座高(最大):1.457"(37.00mm)
引線間隔:0.394"(10.00mm)
表面貼裝占地面積:-
包裝:散裝
LGY2G271MELC供應(yīng)商
LGY2G271MELC
上海熠富電子科技有限公司
15026993318 /
LGY2G271MELC
北京顯周科技有限公司
13910052844(微
LGY2G271MELC
北京人上科技有限公司
13910052844(微
LGY2G271MELC
北京顯周科技有限公司
13910052844(微
查看更多LGY2G271MELC的供應(yīng)商
DSP1N5S5
DC DC Converters Power-One 4-SIP 模塊 CONVERTER DC-DC 1W 5V SGL
IHSM5832PJ390L
固定式 Vishay Dale 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER 39UH 1.8A SMD
LGY2G181MELB
電容器 Nichicon 徑向,Can - 卡入式 CAP ALUM 180UF 400V 20% SNAP
DS1220AB-200+
存儲(chǔ)器 Maxim Integrated 24-DIP 模塊(0.600",15.24mm) IC NVSRAM 16KBIT 200NS 24DIP
IDT70V631S15PRF8
存儲(chǔ)器 IDT, Integrated Device Technology Inc 128-LQFP IC SRAM 4MBIT 15NS 128TQFP
GRM31MR71H105KA88L
陶瓷 Murata Electronics North America 1206(3216 公制) CAP CER 1UF 50V 10% X7R 1206
IMC1812ER101K
固定式 Vishay Dale INDUCTOR WW 100UH 10% 1812
IHSM5832PJ472L
固定式 Vishay Dale 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER 4700UH 0.14A SMD
DSP25-12A
二極管,整流器 - 陣列 IXYS TO-3P-3 整包 DIODE ARRAY 1200V 28A TO247AD
DS1220AB-200IND+
存儲(chǔ)器 Maxim Integrated 24-DIP 模塊(0.600",15.24mm) IC NVSRAM 16KBIT 200NS 24DIP
GRM31MR71H394KA01L
陶瓷 Murata Electronics North America 1206(3216 公制) CAP CER 0.39UF 50V 10% X7R 1206
IDT70V639S12PRF8
存儲(chǔ)器 IDT, Integrated Device Technology Inc 128-LQFP IC SRAM 2.25MBIT 12NS 128TQFP
IMC1812ER101K
固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 100UH 10% 1812
DSP2A-DC12V
功率,高于 2 安 Panasonic Electric Works TO-268-3,D³Pak(2 引線+接片),TO-268AA RELAY GEN PURPOSE DPST 5A 12V
IHSM5832PJ820L
固定式 Vishay Dale 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER 82UH 1.14A SMD
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