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MJD112T4詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS DARL NPN 100V 2A DPAK; 系列：-; 制造商：STMicroelectronics; 晶體管類型：NPN - 達林頓; 電流_集電極333Ic444（最大）：2A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：100V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：3V @ 40mA，4A; 電流_集電極截止（最大）：20µA; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：1000 @ 2A，3V; 功率_最大：20W; 頻率_轉換：25MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

MJD112T4詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS DARL NPN 100V 2A DPAK; 系列：-; 制造商：STMicroelectronics; 晶體管類型：NPN - 達林頓; 電流_集電極333Ic444（最大）：2A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：100V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：3V @ 40mA，4A; 電流_集電極截止（最大）：20µA; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：1000 @ 2A，3V; 功率_最大：20W; 頻率_轉換：25MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

MJD112T4詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS DARL NPN 2A 100V DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 達林頓; 電流_集電極333Ic444（最大）：2A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：100V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：3V @ 40mA，4A; 電流_集電極截止（最大）：20µA; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：1000 @ 2A，3V; 功率_最大：1.75W; 頻率_轉換：25MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：DPAK-3; 包裝：Digi-Reel®

MJD112T4詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS DARL NPN 2A 100V DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 達林頓; 電流_集電極333Ic444（最大）：2A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：100V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：3V @ 40mA，4A; 電流_集電極截止（最大）：20µA; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：1000 @ 2A，3V; 功率_最大：1.75W; 頻率_轉換：25MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：DPAK-3; 包裝：剪切帶 (CT)

MJD112T4詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS DARL NPN 100V 2A DPAK; 系列：-; 制造商：STMicroelectronics; 晶體管類型：NPN - 達林頓; 電流_集電極333Ic444（最大）：2A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：100V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：3V @ 40mA，4A; 電流_集電極截止（最大）：20µA; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：1000 @ 2A，3V; 功率_最大：20W; 頻率_轉換：25MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

MJD112T4詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS DARL NPN 100V 2A DPAK; 系列：-; 制造商：STMicroelectronics; 晶體管類型：NPN - 達林頓; 電流_集電極333Ic444（最大）：2A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：100V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：3V @ 40mA，4A; 電流_集電極截止（最大）：20µA; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：1000 @ 2A，3V; 功率_最大：20W; 頻率_轉換：25MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

NSR0340V2T1G
單二極管/整流器 ON Semiconductor SC-79，SOD-523 DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOD523
MMA7261QR2
加速計 Freescale Semiconductor 16-LQFN 裸露焊盤 SENSOR ACCEL 3-AXIS +/-2.5 16QFN
MJD112T4
晶體管(BJT) - 單路 STMicroelectronics TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 TRANS DARL NPN 100V 2A DPAK
NTK3139PT1G
FET - 單 ON Semiconductor SOT-723 MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-723
P51-200-A-Z-I12-4.5V-000-000
壓力 SSI Technologies Inc 不銹鋼 SENSOR 200PSI 1/4-18NPT .5-4.5V
MLG1005S4N3S
固定式 TDK Corporation 0402（1005 公制） INDUCTOR MULTILAYER 4.3NH 0402
NRS8030T3R3MJGJ
固定式 Taiyo Yuden 非標準 INDUCTOR POWER 3.3UH 4.3A SMD
NPX20S48033DC
DC DC Converters Murata Power Solutions Inc 6-DIP 模塊 CONV DC/DC 6A 48VIN 3.3VOUT SGL
NSR05F20NXT5G
單二極管/整流器 ON Semiconductor 2-XFDFN IC DIODE SFC SCHOTTKY 0402 2DSN
P51-200-A-Z-I36-4.5OVP-000-000
壓力 SSI Technologies Inc 不銹鋼 SENSOR 200PSI 1/4-18NPT .5-4.5V
NTLGD3502NT1G
FET - 陣列 ON Semiconductor 6-VDFN 裸露焊盤 MOSFET N-CH DUAL 20V 6-DFN
MLG1005S4N3S
固定式 TDK Corporation 0402（1005 公制） INDUCTOR MULTILAYER 4.3NH 0402
NRS8030T4R7MJGJ
固定式 Taiyo Yuden 非標準 INDUCTOR POWER 4.7UH 4.0A SMD
N-Q2626
尖端，噴嘴 OKI/Metcal 6-DIP 模塊 NOZZLE QFP.5MM 208PIN 20MIL PTCH
NSR05F40NXT5G
單二極管/整流器 ON Semiconductor 2-XFDFN IC DIODE SFC SCHOTTKY 0402 2DSN

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