MJD2955T4 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

MJD2955T4詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR PNP 60V 10A DPAK

系列：-

制造商：STMicroelectronics

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：10A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：8V @ 3.3A，10A

電流_集電極截止（最大）：50µA

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：20 @ 4A，4V

功率_最大：20W

頻率_轉(zhuǎn)換：2MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak

包裝：剪切帶 (CT)

MJD2955T4詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR PNP 60V 10A DPAK

系列：-

制造商：STMicroelectronics

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：10A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：5V @ 3.3A，10A

電流_集電極截止（最大）：50µA

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：20 @ 4A，4V

功率_最大：20W

頻率_轉(zhuǎn)換：2MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak

包裝：帶卷 (TR)

MJD2955T4詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR PNP 60V 10A DPAK

系列：-

制造商：STMicroelectronics

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：10A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：8V @ 3.3A，10A

電流_集電極截止（最大）：50µA

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：20 @ 4A，4V

功率_最大：20W

頻率_轉(zhuǎn)換：2MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak

包裝：Digi-Reel®

MJD2955T4詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS PWR PNP 10A 60V DPAK

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：10A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：8V @ 3.3A，10A

電流_集電極截止（最大）：50µA

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：20 @ 4A，4V

功率_最大：1.75W

頻率_轉(zhuǎn)換：2MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商設(shè)備封裝：DPAK-3

包裝：剪切帶 (CT)

MJD2955T4詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS PWR PNP 10A 60V DPAK

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：10A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：8V @ 3.3A，10A

電流_集電極截止（最大）：50µA

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：20 @ 4A，4V

功率_最大：1.75W

頻率_轉(zhuǎn)換：2MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商設(shè)備封裝：DPAK-3

包裝：Digi-Reel®

MJD2955T4G詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS PWR PNP 10A 60V DPAK

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：10A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：8V @ 3.3A，10A

電流_集電極截止（最大）：50µA

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：20 @ 4A，4V

功率_最大：1.75W

頻率_轉(zhuǎn)換：2MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商設(shè)備封裝：DPAK-3

包裝：帶卷 (TR)

• MCU08050D2321BP100

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay BC Components    0805（2012 公制）    RES 2.32K OHM 1/8W .1% SMD 0805

• MJD2955T4

  晶體管(BJT) - 單路    STMicroelectronics    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    TRANSISTOR PNP 60V 10A DPAK

• GDR04S

  DIP    TE Connectivity    256-BGA    SWITCH DIP ROCKER 4POS SMD

• MK61FX512VMD15

  嵌入式 - 微控制器，    Freescale Semiconductor    *    IC ARM CORTEX MCU 512KB 144BGA

• MCP14E6-E/P

  PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān)    Microchip Technology    8-DIP（0.300"，7.62mm）    IC MOSFET DRIVER 2A 8PDIP

• MMBD4148CA-TP

  二極管，整流器 - 陣列    Micro Commercial Co    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    DIODE ULT FAST 200MA 75V SOT-23

• MC9S08GB60ACFUER

  嵌入式 - 微控制器，    Freescale Semiconductor    64-LQFP    IC MCU 60K FLASH 4K RAM 64-LQFP

• M83723/73R20287

  連接器，互連器件    TE Connectivity        CONN RCPT 28POS JAM NUT W/SKT

• MCU08050D2802BP100

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay BC Components    0805（2012 公制）    RES 28K OHM 1/8W .1% SMD 0805

• MK74CB218RLFTR

  時鐘/計(jì)時 - 時鐘緩沖器，驅(qū)動器    IDT, Integrated Device Technology Inc    28-SSOP（0.154"，3.90mm 寬）    IC CLK BUFFER 1:8 200MHZ 28-SSOP

• MMBD4148SE

  二極管，整流器 - 陣列    Fairchild Semiconductor    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    DIODE SS 100V 200MA SOT-23

• MC9S08GT16ACFCER

  嵌入式 - 微控制器，    Freescale Semiconductor    *    IC MCU 8BIT 16KB FLASH 32QFN

• MCP14E9-E/MF

  PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān)    Microchip Technology    8-VDFN 裸露焊盤    IC MOSFET DRIVER 3A 8DFN-S

• M83723/73R20288-LC

  圓形 - 外殼    TE Connectivity        CONN HSG RCPT JAM NUT 28POS SKT

• MCU08050D2942BP500

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay BC Components    0805（2012 公制）    RES 29.4K OHM 1/8W .1% SMD 0805