MMBT5551 全國供應商、價格、PDF資料

MMBT5551詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN 160V SOT-23

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：600mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：160V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：200mV @ 5mA，50mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 10mA，5V

功率_最大：350mW

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：SOT-23

包裝：Digi-Reel®

MMBT5551詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN 160V SOT-23

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：600mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：160V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：200mV @ 5mA，50mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 10mA，5V

功率_最大：350mW

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：SOT-23

包裝：帶卷 (TR)

MMBT5551詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN 160V SOT-23

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：600mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：160V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：200mV @ 5mA，50mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 10mA，5V

功率_最大：350mW

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：SOT-23

包裝：剪切帶 (CT)

MMBT5551-7詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS 160V 350MW NPN SMD SOT23-3

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：600mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：160V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：200mV @ 5mA，50mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 10mA，5V

功率_最大：300mW

頻率_轉換：300MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：SOT-23-3

包裝：剪切帶 (CT)

MMBT5551-7詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS NPN 160V 350MW SMD SOT23-3

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：600mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：160V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：200mV @ 5mA，50mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 10mA，5V

功率_最大：300mW

頻率_轉換：300MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：SOT-23-3

包裝：帶卷 (TR)

MMBT5551-7-F詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS NPN 160V 350MW SMD SOT23-3

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：600mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：160V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：200mV @ 5mA，50mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 10mA，5V

功率_最大：300mW

頻率_轉換：300MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：SOT-23-3

包裝：帶卷 (TR)

• MMA02040C1509FB300

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Beyschlag    MELF，0204    RES 15.0 OHM .4W 1% 0204 MELF

• MJTP1234A

  觸摸    APEM Components, LLC        SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 12V

• MMBT5551

  晶體管(BJT) - 單路    Fairchild Semiconductor    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    TRANSISTOR NPN 160V SOT-23

• MLH150PGL01C

  壓力    Honeywell Sensing and Control    圓柱型，金屬    MLH ALL METAL PRESS SENSE -ATF

• MS3102R20-29PZ

  連接器，互連器件    ITT Cannon        CONN RCPT 17 POS BOX MNT W/PINS

• MJN3C-IN-AC240

  功率，高于 2 安    Omron Electronics Inc-IA Div        RELAY GEN PURPOSE 3PDT 10A 240V

• MMA02040C1800FB300

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Beyschlag    MELF，0204    RES 180 OHM .4W 1% 0204 MELF

• MJTP1236

  觸摸    APEM Components, LLC        SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 12V

• MS3102R20-2P

  連接器，互連器件    ITT Cannon        CONN RCPT 1 POS BOX MNT W/PINS

• MCS04020C6804FE000

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay BC Components    0402（1005 公制）    RES 6.80M OHM 1/16W 1% SMD 0402

• MJTPSHW

  觸摸    APEM Components, LLC        SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 12V

• MJN3C-N-AC24

  功率，高于 2 安    Omron Electronics Inc-IA Div        RELAY GEN PURPOSE 3PDT 10A 24V

• MS3102R20-33P

  連接器，互連器件    ITT Cannon        CONN RCPT 11 POS BOX MNT W/PINS

• MMBT5551LT1

  晶體管(BJT) - 單路    ON Semiconductor    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    TRANS SS NPN 160V HV SOT23

• MLH150PSL01B

  壓力    Honeywell Sensing and Control    圓柱型，金屬    SENSOR SEALED GAGE 0-150 PSI