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MMUN2212LT1 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

MMUN2212LT1詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：22k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：22k

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：60 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：-

功率_最大：246mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）

包裝：剪切帶 (CT)

MMUN2212LT1詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：22k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：22k

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：60 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：-

功率_最大：246mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）

包裝：帶卷 (TR)

MMUN2212LT1G詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：22k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：22k

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：60 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：-

功率_最大：246mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）

包裝：帶卷 (TR)

MMUN2212LT1G詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：22k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：22k

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：60 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：-

功率_最大：246mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）

包裝：剪切帶 (CT)

MMUN2212LT1G詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：22k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：22k

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：60 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：-

功率_最大：246mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）

包裝：Digi-Reel®

• GRM2196R2A1R5CD01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0805（2012 公制）    CAP CER 1.5PF 100V R2H 0805

• MMUN2212LT1

  晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式    ON Semiconductor    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23

• MS27466T11B99JA

  連接器，互連器件    TE Connectivity        CONN RCPT 7POS FLANGE W/SKT

• MP6-2B-2D-1A-00

  AC DC 轉(zhuǎn)換器    Emerson Network Power/Embedded Power        MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY

• MMS-135-02-L-DH

  矩形- 接頭，插座，母插口    Samtec Inc        CONN RCPT 2MM 70POS DL HORZ SMD

• MP6-3G-00

  AC DC 轉(zhuǎn)換器    Emerson Network Power/Embedded Power        MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY

• GRM1887U2A8R2DZ01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0603（1608 公制）    CAP CER 8.2PF 100V U2J 0603

• MMDL914-TP

  單二極管/整流器    Micro Commercial Co    SC-76，SOD-323    DIODE SW 200MA 100V SOD-323

• GRM2196R2A1R7CD01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0805（2012 公制）    CAP CER 1.7PF 100V R2H 0805

• MP6-2B-2S-NNE-00

  AC DC 轉(zhuǎn)換器    Emerson Network Power/Embedded Power        MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY

• MMS-135-02-T-SH

  矩形- 接頭，插座，母插口    Samtec Inc        CONN RCPT 2MM 35POS SGL HORZ SMD

• GRM1887U2A8R3DZ01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0603（1608 公制）    CAP CER 8.3PF 100V U2J 0603

• MP6-3G-1L-00

  AC DC 轉(zhuǎn)換器    Emerson Network Power/Embedded Power        MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY

• GRM2196R2A1R9CD01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0805（2012 公制）    CAP CER 1.9PF 100V R2H 0805

• MMDT2222A-7

  晶體管(BJT) - 陣列    Diodes Inc    6-TSSOP，SC-88，SOT-363    TRANSISTOR DUAL NPN 40V SOT-363