NE3508M04-T2 全國供應商、價格、PDF資料
NE3508M04-T2-A詳細規(guī)格
- 類別:RF FET
- 描述:AMP HJ-FET 2GHZ 4-TSMM
- 系列:-
- 制造商:CEL
- 晶體管類型:HFET
- 頻率:2GHz
- 增益:14dB
- 電壓_測試:2V
- 額定電流:120mA
- 噪音數(shù)據(jù):0.45dB
- 電流_測試:10mA
- 功率_輸出:18dBm
- 電壓_額定:4V
- 封裝/外殼:SOT-343F
- 供應商設備封裝:F4TSMM,M04
- 包裝:帶卷 (TR)
- 氧化鈮 AVX Corporation 1206(3216 公制) CAP NIOB OXIDE 22UF 2.5V 1206
- 固定式 TDK Corporation 1210(3225 公制) INDUCTOR .47UH 2.00A 20% 1210
- 接口 - 模擬開關,多路復用器,多路分解器 ON Semiconductor 16-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC MUX/DEMUX 1X8 16SOIC
- RF FET CEL SC-82A,SOT-343 AMP HJ-FET 12GHZ SOT-343
- 背板 - 硬公制,標準 FCI CONN HEADER 200POS TYPE E VERT
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 24-DIP 模塊(600 mil,8 引線) NE1S V3 SOFTWARE 10 LICENSE
- 通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 536 OHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- 存儲器 Micron Technology Inc 90-VFBGA IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 90VFBGA
- 固定式 TDK Corporation 1210(3225 公制) INDUCTOR .47UH 2.00A 20% 1210
- 接口 - 模擬開關,多路復用器,多路分解器 ON Semiconductor 16-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC MUX/DEMUX 1X8 16SOIC
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 24-DIP 模塊(600 mil,8 引線) NE1S V3 SOFTWARE 30 LICENSE
- 存儲器 Micron Technology Inc 90-VFBGA IC SDRAM 128MBIT 100MHZ 90VFBGA
- 通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 53.6KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- 背板 - 硬公制,標準 FCI CONN HEADER 200POS TYPE E VERT
- 氧化鈮 AVX Corporation 2312(6032 公制) CAP NIOB OXIDE 150UF 2.5V 2312