SI4466 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

SI4466DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.5A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 13.5A，4.5V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N

包裝：帶卷 (TR)

SI4466DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.5A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 13.5A，4.5V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N

包裝：剪切帶 (CT)

SI4466DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.5A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 13.5A，4.5V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N

包裝：Digi-Reel®

SI4466DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.5A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 13.5A，4.5V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N

包裝：帶卷 (TR)

• SI4464DY-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH D-S 200V 8-SOIC

• STEVAL-TDR016V1

  RF 評(píng)估和開發(fā)套件，板    STMicroelectronics        RF EVAL FOR PD55015E

• STP4CMPQTR

  PMIC - LED 驅(qū)動(dòng)器    STMicroelectronics    20-UFQFN    IC LED DVR CHARGE PUMP 20QFN

• T95S684M035LSSL

  鉭    Vishay Sprague    1507（3718 公制）    CAP TANT 0.68UF 35V 20% 1507

• SI4465ADY-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH 8V 13.7A 8SOIC

• TLV2450IDBVT

  Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps    Texas Instruments    SOT-23-6    IC OPAMP GP R-R 220KHZ SOT23-6

• TA-36.000MDE-T

  振蕩器    TXC CORPORATION    4-SMD，無引線（DFN，LCC）    OSC MEMS 36.000 MHZ 1.8V SMD

• TLC2264IDG4

  Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps    Texas Instruments    14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC OPAMP GP R-R 730KHZ 14SOIC

• STP5NK60Z

  FET - 單    STMicroelectronics    TO-220-3    MOSFET N-CH 600V 5A TO-220

• T95S684M035LZAL

  鉭    Vishay Sprague    1507（3718 公制）    CAP TANT 0.68UF 35V 20% 1507

• SI4472DY-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH D-S 150V 8-SOIC

• TLV2450IP

  Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps    Texas Instruments    8-DIP（0.300"，7.62mm）    IC OPAMP GP R-R 220KHZ SGL 8DIP

• STP5NK80ZFP

  FET - 單    STMicroelectronics    TO-220-3 整包    MOSFET N-CH 800V 4.3A TO-220FP

• STEVAL-TDR029V1

  RF 評(píng)估和開發(fā)套件，板    STMicroelectronics        EVAL BOARD FOR STAC2942B

• SI4484EY-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC