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SI4484EY-T1-E3 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：

SI4484EY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.8A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：34 毫歐 @ 6.9A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N

包裝：Digi-Reel®

SI4484EY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.8A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：34 毫歐 @ 6.9A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N

包裝：剪切帶 (CT)

SI4484EY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.8A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：34 毫歐 @ 6.9A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N

包裝：帶卷 (TR)

• RNF18FTD1K50

  通孔電阻器    Stackpole Electronics Inc    軸向    RES 1/8W 1.5K OHM 1% AXIAL

• SI7115DN-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    PowerPAK? 1212-8    MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8

• SI4484EY-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC

• RNCP0603FTD12K4

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    0603（1608 公制）    RES 12.4K OHM 1/8W 1% 0603 SMD

• MDM-51SH006P

  D-Sub    ITT Cannon        MICRO-D PLUG 51POS SKT 36" WIRE

• SD6030-440-R

  固定式    Cooper Bussmann    非標(biāo)準(zhǔn)    INDUCTOR SHIELDED 44UH SMD

• SCD113

  尖端，噴嘴    Apex Tool Group    -    TIP REPLACEMENT 1.2MM FOR SCD100

• SI3483CDV-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）    MOSFET P-CH D-S 30V 6-TSOP

• SI7116DN-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    PowerPAK? 1212-8    MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8

• MDM-51SH016B

  D-Sub    ITT Cannon        MICRO 51POS SKT 6"

• RNCP0603FTD150R

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    0603（1608 公制）    RES 150 OHM 1% 0603 SMD

• SD-60BV

  連接器，互連器件    CUI Inc    B-43，PUK    CONN DIN RECPT VERTICAL PCB 6P

• SCD114

  尖端，噴嘴    Apex Tool Group    -    TIP REPLACEMENT 1.8MM FOR SCD100

• SI7116DN-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    PowerPAK? 1212-8    MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8

• SI3493DV-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）    MOSFET P-CH D-S 20V 6-TSOP