SI4838DY-T1 全國供應商、價格、PDF資料

SI4838DY-T1-E3詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：12V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 毫歐 @ 25A，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：600mV @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.6W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SOIC N

包裝：帶卷 (TR)

SI4838DY-T1-E3詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：12V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 毫歐 @ 25A，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：600mV @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.6W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SOIC N

包裝：剪切帶 (CT)

SI4838DY-T1-E3詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：12V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 毫歐 @ 25A，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：600mV @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.6W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SOIC N

包裝：Digi-Reel®

SI4838DY-T1-GE3詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：12V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 毫歐 @ 25A，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：600mV @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.6W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SOIC N

包裝：帶卷 (TR)

• SI7872DP-T1-E3

  FET - 陣列    Vishay Siliconix    PowerPAK? SO-8    MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 8-SOIC

• SR217A221JARTR1

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 220PF 500V 5% RADIAL

• SI4838DY-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC

• RT0603DRD0713K3L

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0603（1608 公制）    RES 13.3K OHM 1/10W .5% 0603 SMD

• SQCBEA821JATME

  陶瓷    AVX Corporation    1111（2828 公制）    CAP CER 820PF 150V 5% 1111

• SHIPLBL-088-50

  標簽，標記    3M (TC)        LABEL 5X3" RED ON WHITE 50/PK

• SQCAEM2R2BATME\500

  陶瓷    AVX Corporation    0605（1613 公制）    CAP CER 2.2PF 150V 0605

• SR891C153KARTR1

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 0.015UF 100V 10% RADIAL

• SI7882DP-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    PowerPAK? SO-8    MOSFET N-CH D-S 12V PPAK 8SOIC

• RT0603DRD0713KL

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0603（1608 公制）    RES 13K OHM 1/10W .5% 0603 SMD

• SHIPLBL-089

  標簽，標記    3M (TC)        LABEL 10X8" BLACK ON RED 250/PK

• SQCAEM2R2CATME

  陶瓷    AVX Corporation    0605（1613 公制）    CAP CER 2.2PF 150V 0605

• SI7888DP-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    PowerPAK? SO-8    MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC

• SR891C222KARTR1

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 2200PF 100V 10% RADIAL

• SQCBEM102JAJME

  陶瓷    AVX Corporation    1111（2828 公制）    CAP CER 1000PF 150V 5% 1111