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SI4838DY-T1 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

SI4838DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 毫歐 @ 25A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：600mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4838DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 毫歐 @ 25A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：600mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4838DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 毫歐 @ 25A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：600mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4838DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 毫歐 @ 25A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：600mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI7872DP-T1-E3
FET - 陣列 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 8-SOIC
SR217A221JARTR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 220PF 500V 5% RADIAL
SI4838DY-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC
RT0603DRD0713K3L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0603（1608 公制） RES 13.3K OHM 1/10W .5% 0603 SMD
SQCBEA821JATME
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 820PF 150V 5% 1111
SHIPLBL-088-50
標(biāo)簽，標(biāo)記 3M (TC) LABEL 5X3" RED ON WHITE 50/PK
SQCAEM2R2BATME\500
陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 2.2PF 150V 0605
SR891C153KARTR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 0.015UF 100V 10% RADIAL
SI7882DP-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 12V PPAK 8SOIC
RT0603DRD0713KL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0603（1608 公制） RES 13K OHM 1/10W .5% 0603 SMD
SHIPLBL-089
標(biāo)簽，標(biāo)記 3M (TC) LABEL 10X8" BLACK ON RED 250/PK
SQCAEM2R2CATME
陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 2.2PF 150V 0605
SI7888DP-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
SR891C222KARTR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 2200PF 100V 10% RADIAL
SQCBEM102JAJME
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 1000PF 150V 5% 1111