

SPP15P10P詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 15A TO-220AB
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:15A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:240 毫歐 @ 10.6A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.1V @ 1.54mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1180pF @ 25V
- 功率_最大:128W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-220-3
- 供應商設(shè)備封裝:PG-TO220-3
- 包裝:管件
SPP15P10P G詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 15A TO-220
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:15A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:240 毫歐 @ 10.6A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.1V @ 1.54mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:48nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1280pF @ 25V
- 功率_最大:128W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-220-3
- 供應商設(shè)備封裝:PG-TO220-3
- 包裝:管件
SPP15P10P H詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:15A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:240 毫歐 @ 10.6A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.1V @ 1.54mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:48nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1280pF @ 25V
- 功率_最大:128W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-220-3
- 供應商設(shè)備封裝:PG-TO220-3
- 包裝:管件
SPP15P10PL G詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 15A TO-220
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:15A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:200 毫歐 @ 11.3A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 1.54mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:62nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1490pF @ 25V
- 功率_最大:128W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-220-3
- 供應商設(shè)備封裝:PG-TO220-3
- 包裝:管件
SPP15P10PL H詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:15A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:200 毫歐 @ 11.3A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 1.54mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:62nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1490pF @ 25V
- 功率_最大:128W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-220-3
- 供應商設(shè)備封裝:PG-TO220-3
- 包裝:管件
- 陶瓷 AVX Corporation 1111(2828 公制) CAP CER 4.3PF 500V 1111
- 連接器,互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 66POS WALL MNT W/PINS
- FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET P-CH 100V 15A TO-220AB
- 邏輯 - 柵極和逆變器 Texas Instruments 6-UFDFN IC SINGLE INVERTER GATE 6-SON
- 固定式 Bourns Inc. 非標準 INDUCTOR 150UH 620MA SMD
- 接口 - 驅(qū)動器,接收器,收發(fā)器 Texas Instruments 20-WFQFN 裸露焊盤 IC REDRIVER 2CH SATA 3GBS 20QFN
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
- 連接器,互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 65POS WALL MNT W/PINS
- 陶瓷 AVX Corporation 1111(2828 公制) CAP CER 4.7PF 500V 1111
- 標記 3M 非標準 SCOTCH CODE REFILL # 70-79
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
- 接口 - 驅(qū)動器,接收器,收發(fā)器 Texas Instruments 20-SSOP(0.209",5.30mm 寬) IC REPEATER 2CH SATA 3GBS 20SSOP
- 連接器,互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 65POS WALL MNT W/SCKT
- 陶瓷 AVX Corporation 1111(2828 公制) CAP CER 4.7PF 500V 1111
- FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220