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SPP15P10P 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

SPP15P10P詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 100V 15A TO-220AB

系列：SIPMOS®

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：15A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫歐 @ 10.6A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.1V @ 1.54mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1180pF @ 25V

功率_最大：128W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO220-3

包裝：管件

SPP15P10P G詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 100V 15A TO-220

系列：SIPMOS®

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：15A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫歐 @ 10.6A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.1V @ 1.54mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：48nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1280pF @ 25V

功率_最大：128W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO220-3

包裝：管件

SPP15P10P H詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3

系列：SIPMOS®

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：15A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫歐 @ 10.6A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.1V @ 1.54mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：48nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1280pF @ 25V

功率_最大：128W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO220-3

包裝：管件

SPP15P10PL G詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 100V 15A TO-220

系列：SIPMOS®

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：15A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 11.3A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 1.54mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：62nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1490pF @ 25V

功率_最大：128W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO220-3

包裝：管件

SPP15P10PL H詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3

系列：SIPMOS®

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：15A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 11.3A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 1.54mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：62nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1490pF @ 25V

功率_最大：128W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO220-3

包裝：管件

• SQCB7A4R3CAJME

  陶瓷    AVX Corporation    1111（2828 公制）    CAP CER 4.3PF 500V 1111

• MS27497E18F35PC

  連接器，互連器件    Amphenol Industrial Operations        CONN RCPT 66POS WALL MNT W/PINS

• SPP15P10P

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-220-3    MOSFET P-CH 100V 15A TO-220AB

• SN74LVC1G04DRYR

  邏輯 - 柵極和逆變器    Texas Instruments    6-UFDFN    IC SINGLE INVERTER GATE 6-SON

• SDR7045-151K

  固定式    Bourns Inc.    非標(biāo)準(zhǔn)    INDUCTOR 150UH 620MA SMD

• SN75LVCP412ARTJT

  接口 - 驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器    Texas Instruments    20-WFQFN 裸露焊盤    IC REDRIVER 2CH SATA 3GBS 20QFN

• SI2304BDS-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3

• MS27497E20B2P

  連接器，互連器件    Amphenol Industrial Operations        CONN RCPT 65POS WALL MNT W/PINS

• SQCB7A4R7BATME

  陶瓷    AVX Corporation    1111（2828 公制）    CAP CER 4.7PF 500V 1111

• SDR-70-79

  標(biāo)記    3M    非標(biāo)準(zhǔn)    SCOTCH CODE REFILL # 70-79

• SI2304BDS-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3

• SN75LVCP422DBR

  接口 - 驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器    Texas Instruments    20-SSOP（0.209"，5.30mm 寬）    IC REPEATER 2CH SATA 3GBS 20SSOP

• MS27497E20B2S

  連接器，互連器件    Amphenol Industrial Operations        CONN RCPT 65POS WALL MNT W/SCKT

• SQCB7A4R7CATME\500

  陶瓷    AVX Corporation    1111（2828 公制）    CAP CER 4.7PF 500V 1111

• SPP20N65C3

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-220-3    MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220