STS 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

STS詳細(xì)規(guī)格

類別：標(biāo)記

描述：WIRE MARKER TYPE ON 3/4"X 1 3/8"

系列：STS

制造商：3M

類型：導(dǎo)線標(biāo)記

尺寸：0.75" W x 1.40" L（19.0mm x 35.6mm）

電纜直徑：0.09" ~ 0.31"（2.3mm ~ 8.0mm）

圖例：空白

顏色：白

材料：乙烯基

包裝：每張 55 個(gè)；每包 5 張

STS01DTP06詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 陣列

描述：TRANS NPN/PNP 60V 3A 8SOIC

系列：-

制造商：STMicroelectronics

晶體管類型：NPN，PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：3A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：30V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 100mA，2A

電流_集電極截止（最大）：1µA

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 1A，2V

功率_最大：2W

頻率_轉(zhuǎn)換：-

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO

包裝：帶卷 (TR)

STS01DTP06詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 陣列

描述：TRANS NPN/PNP 60V 3A 8SOIC

系列：-

制造商：STMicroelectronics

晶體管類型：NPN，PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：3A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：30V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 100mA，2A

電流_集電極截止（最大）：1µA

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 1A，2V

功率_最大：2W

頻率_轉(zhuǎn)換：-

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO

包裝：Digi-Reel®

STS01DTP06詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 陣列

描述：TRANS NPN/PNP 60V 3A 8SOIC

系列：-

制造商：STMicroelectronics

晶體管類型：NPN，PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：3A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：30V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 100mA，2A

電流_集電極截止（最大）：1µA

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 1A，2V

功率_最大：2W

頻率_轉(zhuǎn)換：-

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO

包裝：剪切帶 (CT)

STS05DTP03詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 陣列

描述：TRANS DUAL NPN-PNP BIPO 8SOIC

系列：-

制造商：STMicroelectronics

晶體管類型：NPN，PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：5A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：30V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 250mA，5A

電流_集電極截止（最大）：1µA

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 1A，2V

功率_最大：2W

頻率_轉(zhuǎn)換：-

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO

包裝：Digi-Reel®

STS05DTP03詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 陣列

描述：TRANS DUAL NPN-PNP BIPO 8-SOIC

系列：-

制造商：STMicroelectronics

晶體管類型：NPN，PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：5A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：30V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 250mA，5A

電流_集電極截止（最大）：1µA

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 1A，2V

功率_最大：2W

頻率_轉(zhuǎn)換：-

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO

包裝：帶卷 (TR)

• TC164-JR-071K2L

  網(wǎng)絡(luò)、陣列    Yageo    1206（3216 公制），凹陷    RES ARRAY 1.2K OHM 4 RES 1206

• STM6524AHARDL6F

  PMIC - 監(jiān)控器    STMicroelectronics    6-UFDFN    IC SMART RESET 6-UDFN

• TNPU08051K07BZEN00

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    0805（2012 公制）    RES 1.07K OHM 1/8W 0.1% 0805

• TB400-06

  接線座 - 隔板塊    Cooper Bussmann    4-SMD，無(wú)引線（DFN，LCC）    TERM BLK 75A 600V 6CIRC UL CSA

• SIP502.5LT

  DC DC Converters    Power-One    11-SIP 模塊    CONV DC-DC 5V IN 2.5V OUT 15W

• STR-EWDOC/IAR

  軟件    STMicroelectronics        KIT DEV EWARM DOC

• STP75N75F4

  FET - 單    STMicroelectronics    *    MOSFET N CH 75V 78A TO-220

• STM6524APARDL6F

  PMIC - 監(jiān)控器    STMicroelectronics    6-UFDFN    IC SMART RESET 6-UDFN

• TC164-JR-071KL

  網(wǎng)絡(luò)、陣列    Yageo    1206（3216 公制），凹陷    RES ARRAY 1K OHM 4 RES 1206

• TNPU08051K13AZEN00

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    0805（2012 公制）    RES 1.13K OHM 0.05% 0805 SMD

• SIPC69N50C3

  其它    Infineon Technologies        MOSFET COOL MOS SAWED WAFER

• STP8N65M5

  FET - 單    STMicroelectronics    TO-220-3 成形引線    MOSFET N-CH 650V 7A TO-220

• TC164-JR-071ML

  網(wǎng)絡(luò)、陣列    Yageo    1206（3216 公制），凹陷    RES ARRAY 1M OHM 4 RES 1206

• STM6524AUABDL6F

  PMIC - 監(jiān)控器    STMicroelectronics    6-UFDFN    IC SMART RESET 6UDFN

• TB400-12

  接線座 - 隔板塊    Cooper Bussmann    4-SMD，無(wú)引線（DFN，LCC）    TERM BLK 75A 600V 12CIRC UL CSA