STS4DNFS30 全國供應商、價格、PDF資料
STS4DNFS30詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 4.5A 8-SOIC
- 系列:STripFET™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:二極管(隔離式)
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:4.5A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:55 毫歐 @ 2A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:4.7nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:330pF @ 25V
- 功率_最大:2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:Digi-Reel®
STS4DNFS30詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 4.5A 8-SOIC
- 系列:STripFET™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:二極管(隔離式)
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:4.5A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:55 毫歐 @ 2A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:4.7nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:330pF @ 25V
- 功率_最大:2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:帶卷 (TR)
STS4DNFS30詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 4.5A 8-SOIC
- 系列:STripFET™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:二極管(隔離式)
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:4.5A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:55 毫歐 @ 2A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:4.7nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:330pF @ 25V
- 功率_最大:2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:剪切帶 (CT)
STS4DNFS30L詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC
- 系列:STripFET™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:二極管(隔離式)
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:4A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:55 毫歐 @ 2A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:9nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:330pF @ 25V
- 功率_最大:2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:Digi-Reel®
STS4DNFS30L詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC
- 系列:STripFET™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:二極管(隔離式)
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:4A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:55 毫歐 @ 2A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:9nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:330pF @ 25V
- 功率_最大:2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:帶卷 (TR)
STS4DNFS30L詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC
- 系列:STripFET™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:二極管(隔離式)
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:4A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:55 毫歐 @ 2A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:9nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:330pF @ 25V
- 功率_最大:2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:剪切帶 (CT)
- FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
- 二極管,整流器 - 陣列 STMicroelectronics TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA DIODE SCHOTTKY 170V 5A I2PAK
- 矩形 - 外殼 Sullins Connector Solutions 徑向 CONN RECEPT 1.25MM 8POS
- FET - 單 STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 30V 4.5A 8-SOIC
- FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SC-70-6 MOSFET N-CH 200V 2.6A SC70-6
- 板至板 - 接頭,插座,母插口 Samtec Inc 868-BGA CONN RCPT .100" 5POS GOLD T/H
- 芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 4124 J 形引線 RES 8.45 OHM 2W 1% WW 4124
- TVS - 二極管 ON Semiconductor DO-214AA,SMB TVS ZENER 600W 28V SMB
- FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
- 矩形 - 外殼 Sullins Connector Solutions 徑向 CONN RECEPT 1.25MM 11POS
- FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SC-70-6 雙 MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6
- 芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 4124 J 形引線 RES 976 OHM 2W 1% WW 4124
- TVS - 二極管 ON Semiconductor DO-214AA,SMB TVS ZENER 600W 36V SMB
- FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK 8SOIC
- 單二極管/整流器 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 DIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK