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STS9D8NH3LL 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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STS9D8NH3LL詳細規(guī)格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET DUAL N-CHAN 30V 9A 8-SOIC
系列:STripFET™
制造商:STMicroelectronics
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:8A,9A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫歐 @ 4A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:10nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:857pF @ 25V
功率_最大:2W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SO
包裝:剪切帶 (CT)

STS9D8NH3LL詳細規(guī)格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET DUAL N-CHAN 30V 9A 8-SOIC
系列:STripFET™
制造商:STMicroelectronics
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:8A,9A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫歐 @ 4A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:10nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:857pF @ 25V
功率_最大:2W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SO
包裝:帶卷 (TR)

STS9D8NH3LL詳細規(guī)格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET DUAL N-CHAN 30V 9A 8-SOIC
系列:STripFET™
制造商:STMicroelectronics
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:8A,9A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫歐 @ 4A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:10nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:857pF @ 25V
功率_最大:2W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SO
包裝:Digi-Reel®

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