TPCC8009,LQ(O 全國供應商、價格、PDF資料

TPCC8009,LQ(O詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 24A 8TSON-ADV

系列：-

制造商：Toshiba

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：24A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫歐 @ 12A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 200µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1270pF @ 10V

功率_最大：27W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-VDFN 裸露焊盤

供應商設(shè)備封裝：8-TSON高級

包裝：帶卷 (TR)

• URZ1H102MHD

  電容器    Nichicon    徑向，Can    CAP ALUM 1000UF 50V 20% RADIAL

• URU0J472MRD

  電容器    Nichicon    徑向，Can    CAP ALUM 4700UF 6.3V 20% RADIAL

• TPCC8005-H(TE12LQM

  FET - 單    Toshiba    8-VDFN 裸露焊盤    MOSFET N-CH 30V 26A 8TSON

• USR 2-0808 500 OHM D 0.01% 1PPM

  通孔電阻器    Riedon    徑向    RES 500 OHM .6W .01% FOIL RADIAL

• URZ1H3R3MDD

  電容器    Nichicon    徑向，Can    CAP ALUM 3.3UF 50V 20% RADIAL

• URU1A472MRD

  電容器    Nichicon    徑向，Can    CAP ALUM 4700UF 10V 20% RADIAL

• TNPW25122K40BETG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 2.40K OHM 1/2W 0.1% 2512

• TNPW121086K6BEEN

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    1210（3225 公制）    RES 86.6K OHM 1/3W 0.1% 1210

• URZ1H470MDD

  電容器    Nichicon    徑向，Can    CAP ALUM 47UF 50V 20% RADIAL

• USR 2-T220B 1.00 OHM D 0.1% 3PPM

  通孔電阻器    Riedon    TO-220-2    RES 1 OHM 10W .1% FOIL TO-220

• URZ1V220MDD

  電容器    Nichicon    徑向，Can    CAP ALUM 22UF 35V 20% RADIAL

• URU1J471MRD

  電容器    Nichicon    徑向，Can    CAP ALUM 470UF 63V 20% RADIAL

• TNPW121086R6BEEA

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    1210（3225 公制）    RES 86.6 OHM 1/3W 0.1% 1210

• URZ1V330MDD

  電容器    Nichicon    徑向，Can    CAP ALUM 33UF 35V 20% RADIAL

• TNPW25122K43BETG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 2.43K OHM 1/2W 0.1% 2512