URZ1H3R3MDD 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

URZ1H3R3MDD詳細(xì)規(guī)格

類別：電容器

描述：CAP ALUM 3.3UF 50V 20% RADIAL

系列：RZ

制造商：Nichicon

電容：3.3µF

額定電壓：50V

容差：±20%

壽命0a0溫度：105°C 時為 1000 小時

工作溫度：-55°C ~ 105°C

特點(diǎn)：通用

紋波電流：25mA

ESR（等效串聯(lián)電阻）：-

阻抗：-

安裝類型：通孔

封裝/外殼：徑向，Can

尺寸/尺寸：0.197" 直徑（5.00mm）

高度_座高（最大）：0.413"（10.50mm）

引線間隔：0.079"（2.00mm）

表面貼裝占地面積：-

包裝：散裝

• USR 2-0808 350 OHM D 0.01% 1PPM

  通孔電阻器    Riedon    徑向    RES 350 OHM .6W .01% FOIL RADIAL

• TPCC8003-H(TE12LQM

  FET - 單    Toshiba    8-VDFN 裸露焊盤    MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON

• URZ1C222MHD

  電容器    Nichicon    徑向，Can    CAP ALUM 2200UF 16V 20% RADIAL

• URS2E470MHD

  電容器    Nichicon    徑向，Can    CAP ALUM 47UF 250V 20% RADIAL

• TNPW121084K5BEEA

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    1210（3225 公制）    RES 84.5K OHM 1/3W 0.1% 1210

• TNPW25122K40BEEG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 2.40K OHM 1/2W 0.1% 2512

• URZ1H102MHD

  電容器    Nichicon    徑向，Can    CAP ALUM 1000UF 50V 20% RADIAL

• URU0J472MRD

  電容器    Nichicon    徑向，Can    CAP ALUM 4700UF 6.3V 20% RADIAL

• TPCC8005-H(TE12LQM

  FET - 單    Toshiba    8-VDFN 裸露焊盤    MOSFET N-CH 30V 26A 8TSON

• URU1A472MRD

  電容器    Nichicon    徑向，Can    CAP ALUM 4700UF 10V 20% RADIAL

• TNPW25122K40BETG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 2.40K OHM 1/2W 0.1% 2512

• TNPW121086K6BEEN

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    1210（3225 公制）    RES 86.6K OHM 1/3W 0.1% 1210

• URZ1H470MDD

  電容器    Nichicon    徑向，Can    CAP ALUM 47UF 50V 20% RADIAL

• URU1J221MHD

  電容器    Nichicon    徑向，Can    CAP ALUM 220UF 63V 20% RADIAL

• TPCC8009,LQ(O

  FET - 單    Toshiba    8-VDFN 裸露焊盤    MOSFET N-CH 30V 24A 8TSON-ADV