BSP296E6327詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:1.1A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:700 毫歐 @ 1.1A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.8V @ 400µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:17.2nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:364pF @ 25V
- 功率_最大:1.79W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設備封裝:PG-SOT223-4
- 包裝:帶卷 (TR)
BSP296E6327詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:1.1A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:700 毫歐 @ 1.1A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.8V @ 400µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:17.2nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:364pF @ 25V
- 功率_最大:1.79W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設備封裝:PG-SOT223-4
- 包裝:剪切帶 (CT)
- 陶瓷 TDK Corporation 0805(2012 公制) CAP CER 1UF 16V 10% X5R 0805
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 0805(2012 公制) THERMOCOUPLE IN/CURRENT OUT
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 120PF 25V 10% NP0 0603
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 0.1UF 16V 10% X7R 0805
- FET - 單 Infineon Technologies TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT-223
- 邏輯 - 緩沖器,驅(qū)動器,接收器,收發(fā)器 STMicroelectronics 6-TSSOP(5 引線),SC-88A,SOT-353 IC BUFFER NON-INVERTING SC705
- 邏輯 - 鎖銷 NXP Semiconductors 48-BSSOP(0.295",7.50mm 寬) IC 16BIT D TRANSP LATCH 48SSOP
- 陶瓷 TDK Corporation 0805(2012 公制) CAP CER 1UF 16V 10% X5R 0805
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 0805(2012 公制) THERMOCOUPLE IN/CURRENT OUT
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 0.1UF 16V 10% X7R 0805
- 邏輯 - 觸發(fā)器 NXP Semiconductors 60-UFQFN 雙排,裸焊盤 IC FLIP-FLOP 16BIT D HUQFN60U
- 邏輯 - 柵極和逆變器 STMicroelectronics 6-TSSOP(5 引線),SC-88A,SOT-353 IC GATE XOR SINGLE SOT323-5
- 陶瓷 TDK Corporation 0805(2012 公制) CAP CER 1UF 16V 20% X5R 0805
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 0805(2012 公制) RTD IN / TRANSISTOR OUT
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 1200PF 25V 5% NP0 0603