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IRF520NS詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 5.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：330pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF520NSTRL詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 5.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：330pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF520NSTRLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 5.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：330pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF520NSTRLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 5.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：330pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

IRF520NSTRLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 5.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：330pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF520NSTRR詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 5.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：330pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR3707TRPBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
GRM1556S1H5R1DZ01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 5.1PF 50V S2H 0402
IRF520
FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB
CY7C1372SV25-167AXC
存儲器 Cypress Semiconductor Corp 100-LQFP IC SRAM 18MB SYNC 100-TQFP
FVXO-LC73B-1000
振蕩器 Fox Electronics 6-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 1000 MHZ 3.3V LVDS SMD
IXFT44N50Q3
FET - 單 IXYS TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA MOSFET N-CH 500V 44A TO-268
HFBR-4526Z
配件 Avago Technologies US Inc. HDWR V-LINK DUPL CRIMP RING 500
HLMP-CB26-SV0DD
LED - 分立式 Avago Technologies US Inc. 徑向 LED 5MM INGAN 470NM BLUE 23DEG
GRM1556S1H5R2DZ01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 5.2PF 50V S2H 0402
FVXO-LC73B-148.351648
振蕩器 Fox Electronics 6-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 148.351648 MHZ 3.3V LVDS SMD
CY7C1380D-167AXIT
存儲器 Cypress Semiconductor Corp 100-LQFP IC SRAM 18MBIT 167MHZ 100LQFP
IXFT60N50P3
FET - 單 IXYS TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA MOSFET N-CH 500V 60A TO268
HFBR-4526Z
配件 Avago Technologies US Inc. HDWR V-LINK DUPL CRIMP RING 500
GRM1556S1H5R3DZ01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 5.3PF 50V S2H 0402
IRFR3707Z
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 56A DPAK

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