IRF7701詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：12V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 10A，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5050pF @ 10V
- 功率_最大：1.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-TSSOP
- 包裝：管件
IRF7701GTRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：12V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 10A，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5050pF @ 10V
- 功率_最大：1.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-TSSOP
- 包裝：Digi-Reel®
IRF7701GTRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：12V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 10A，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5050pF @ 10V
- 功率_最大：1.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-TSSOP
- 包裝：帶卷 (TR)
IRF7701GTRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：12V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 10A，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5050pF @ 10V
- 功率_最大：1.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-TSSOP
- 包裝：剪切帶 (CT)
IRF7701TR詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：12V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 10A，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5050pF @ 10V
- 功率_最大：1.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-TSSOP
- 包裝：帶卷 (TR)
IRF7701TRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：12V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 10A，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5050pF @ 10V
- 功率_最大：1.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-TSSOP
- 包裝：Digi-Reel®
- 數據采集 - 模數轉換器 Intersil 28-SSOP（0.154"，3.90mm 寬） CONV A/D 10BIT 40MSPS 28-SSOP
- FET - 單 International Rectifier 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 270PF 50V 10% X7R 0402
- 功率驅動器 Fairchild Semiconductor 32-模塊 SMART POWER MODULE 15A SPM32-AA
- PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盤 MOSFET DRIVER 2CH 5.0V 6A 8SOIC
- 扁平帶 3M 2520（6450 公制） CABLE 50 COND FLEX 28AWG 5’
- 單二極管/齊納 Comchip Technology DO-214AC，SMA DIODE ZENER 27V 1.0W DO-214AC
- 線槽，走線系統(tǒng) - 附件 Hammond Manufacturing TELESCOPE FITTING 6X6"
- 評估板 - 模數轉換器 (ADC) Intersil 28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） EVALUATION PLATFORM HI5805
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 2700PF 50V 10% X7R 0402
- 過時/停產零件編號 Freescale Semiconductor SOFTWARE CW DSP 56800 BEAN
- 單二極管/齊納 Comchip Technology DO-214AC，SMA DIODE ZENER 18V 1.5W DO-214AC
- PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 Intersil 8-WFDFN 裸露焊盤 MOSFET DRIVER 2CH 6A 8TDFN
- 共模扼流圈 TDK Corporation 垂直式，4 PC 引腳 FILTER LINE 18MH 2A VERTICAL
- 數據采集 - 模數轉換器 Intersil 20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC ADC 24BIT PROGBL SER 20-SOIC
0755-88917652 
0755-23919407 
