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IRFR014詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 4.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：300pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRFR014PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 4.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：300pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRFR014TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 4.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：300pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR014TRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 4.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：300pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR014TRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 4.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：300pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR014TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 4.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：300pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR010
FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
GTC02R-24-22PW
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 4POS BOX MNT W/PINS
F221K29Y5RP6UL5R
陶瓷 Vishay BC Components 徑向，圓盤 CAP CER 220PF 2KV 10% RADIAL
CSS50057/I
AC DC 轉(zhuǎn)換器 TDK-Lambda Americas Inc POWER SUPPLIES AC-DC 57V 8.78A
IDT3CP0C02-18NSGET
時鐘/計時 - 可編程計時器和振蕩器 IDT, Integrated Device Technology Inc 4-VDFN IC OSC PROGRAMMABLE TIMER 18MHZ
FCC17-E09PM-450
D-Sub Amphenol Commercial Products FILTER D-SUB 9POS PIN SLD CUP
IRFR014TRL
FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
CSS50057/SI
AC DC 轉(zhuǎn)換器 TDK-Lambda Americas Inc POWER SUPPLIES AC-DC 57V 8.78A
GTC02R-24-28P(025)
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 24POS BOX MNT W/PINS
CSS6519
AC DC 轉(zhuǎn)換器 TDK-Lambda Americas Inc PWRSUP IND MEDICAL 19V 3.43A 65W
FCC17-E09SE-A50
D-Sub Amphenol Commercial Products FILTER D-SUB 9POS SKT VERT
IDT3CP0C02-30NSGET
時鐘/計時 - 可編程計時器和振蕩器 IDT, Integrated Device Technology Inc 4-VDFN IC OSC PROGRAMMABLE TIMER 30MHZ
IRFR020TRPBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
CSS655
AC DC 轉(zhuǎn)換器 TDK-Lambda Americas Inc POWER SUP IND MEDICAL 5V 8A 40W
F221K33Y5RR6TK7R
陶瓷 Vishay BC Components 徑向，圓盤 CAP CER 220PF 3KV 10% RADIAL

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