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IRFR3710ZTR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：42A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫歐 @ 33A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2930pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR3710ZTRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：42A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫歐 @ 33A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2930pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR3710ZTRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：42A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫歐 @ 33A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2930pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR3710ZTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：42A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫歐 @ 33A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2930pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

IRFR3710ZTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：42A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫歐 @ 33A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2930pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

IRFR3710ZTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：42A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫歐 @ 33A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2930pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

LBM2016T8R2J
固定式 Taiyo Yuden 0806（2016 公制） INDUCTOR WOUND 8.2UH 5% 0806
K331K15X7RF5TH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 330PF 50V 10% RADIAL
JMK316B7226ML-T
陶瓷 Taiyo Yuden 1206（3216 公制） CAP CER 22UF 6.3V 20% X7R 1206
K472J20C0GF5TL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 4700PF 50V 5% RADIAL
IRFR3710ZTR
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
K8AB-AS1 200/230VAC
電流/電壓監(jiān)視器 Omron Electronics Inc-IA Div RELAY CURRENT MONITOR 2-500MA
LBM2016T8R2J
固定式 Taiyo Yuden 0806（2016 公制） INDUCTOR WOUND 8.2UH 5% 0806
K331K15X7RH5TK2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 330PF 100V X7R RADIAL
JMK316BJ106KD-T
陶瓷 Taiyo Yuden 1206（3216 公制） CAP CER 10UF 6.3V 10% X5R 1206
K8AB-VS1 100/115VAC
電流/電壓監(jiān)視器 Omron Electronics Inc-IA Div RELAY MONITOR VOLT 60-150MV 120V
LBM2016TR12J
固定式 Taiyo Yuden 0806（2016 公制） INDUCTOR WOUND 0.12UH 5% 0806
K331K15X7RH5UL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 330PF 100V X7R RADIAL
JMK316BJ106KD-T
陶瓷 Taiyo Yuden 1206（3216 公制） CAP CER 10UF 6.3V 10% X5R 1206
K472J20C0GH5TH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 4700PF 100V 5% RADIAL
IRFR3711TR
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 20V 100A DPAK

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