近來，中國大陸在存儲器領(lǐng)域的發(fā)展再次火熱起來，其中最引人關(guān)注的是合肥方面的動作。據(jù)稱，合肥相關(guān)方面投資的合肥長鑫公司將投入約500億元，在合肥打造月產(chǎn)能12.5萬片的12英寸晶圓廠晶圓生產(chǎn)線。另有消息稱，北京兆易創(chuàng)新也將加入該項(xiàng)計(jì)劃。盡管事后兆易創(chuàng)新發(fā)布澄清說明，稱目前僅處于初期接觸階段。但這些信息也說明了合肥正在盡力形成一個(gè)存儲器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展聚集地。

另外，中國其他兩個(gè)存儲力量的動作也不小。紫光集團(tuán)/長江存儲董事長趙偉國日前透露，由紫光參與投資總額達(dá)240億美元的武漢存儲器芯片基地不久即將開工，預(yù)計(jì)2018年建設(shè)完成，月產(chǎn)能約20萬片，到2020年基地總產(chǎn)能將達(dá)30萬片/月、2030年達(dá)到100萬片/月，成為世界級存儲器生產(chǎn)基地。

福建晉華集成則與聯(lián)電簽訂技術(shù)合作協(xié)定，由聯(lián)電協(xié)助其生產(chǎn)利基型DRAM。目前新建的12英寸廠房已經(jīng)動工，初步產(chǎn)能規(guī)劃每月6萬片，估計(jì)2017年年底完成技術(shù)開發(fā)，2018年9月試產(chǎn)。

存儲器國產(chǎn)替代已經(jīng)成型。長期以來，我國存儲市場幾乎被 EMC、戴爾、IBM、日立、富士通等外資品牌所壟斷。但隨著國內(nèi)廠商存儲器技術(shù)的逐漸成熟，外資品牌的技術(shù)壁壘被打破，國產(chǎn)品牌開始迅速壯大。目前我國外部存儲器市場上國產(chǎn)品牌已經(jīng)占據(jù)約 60%的市場份額。其中，華為目前排名第一，市場占有率約為20%，Dell EMC 排名第二，市占率 14%，第三到六名分別是�？低暋BM、曙光和浪潮。除此之外，主要的國內(nèi)廠商還包括：大華股份、同有科技、宇視科技、宏杉科技、聯(lián)想、神州數(shù)碼網(wǎng)絡(luò)和中興。

專利與人才是重要挑戰(zhàn)

盡管中國大陸在發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)的道路上已經(jīng)邁出第一步，然而未來的前景尚不好預(yù)測。首先，在市場方面，根據(jù)最新的DRAMeXchange數(shù)據(jù)，受到智能手機(jī)加載內(nèi)存容量需不斷增長的影響，第三季度移動式內(nèi)存總產(chǎn)值達(dá)45.88億美元，季增16.8%。DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷預(yù)計(jì)今年第四季度移動式內(nèi)存在DRAM總營收占比中仍將持續(xù)擴(kuò)大。

在NAND閃存方面，同樣受到智能手機(jī)需求影響，第三季度NAND閃存開始漲價(jià)，使得NAND廠商營收季度增長19.6%，營業(yè)利潤率環(huán)比大幅增加。DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆谒募径雀黝愲娮咏K端設(shè)備的出貨量將進(jìn)入年度高峰期，預(yù)估整體NAND閃存將呈供不應(yīng)求的狀況，NAND閃存的合約價(jià)格漲幅將會更高。也就是說，受移動市場的帶動，內(nèi)存市場有望在較長時(shí)間內(nèi)保持旺盛需求。而未來在云計(jì)算大數(shù)據(jù)的驅(qū)動下，數(shù)據(jù)中心建設(shè)發(fā)展方興未艾，對存儲器的需求將會持續(xù)增加。這對中國存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展是一個(gè)利好。

存儲器芯片領(lǐng)域，主要分為兩類：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲器內(nèi)的信息就流失了，例如 DRAM，電腦中的內(nèi)存條。非易失性：斷電以后，存儲器內(nèi)的信息仍然存在，主要是閃存（Nand FLASH 和 NOR FLASH），NOR 主要應(yīng)用于代碼存儲介質(zhì)中，而 NAND 則用于數(shù)據(jù)存儲。在整個(gè)存儲器芯片里面，主要有的三種產(chǎn)品是：DRAM、NOR FLASH 和 Nand FLASH。

2016年第一季度 Nand FLASH 市場結(jié)構(gòu)

   DRAM市場上主要由三星、海力士和美光三大巨頭壟斷，占比達(dá)到 90%以上。從 Nand FLASH 市場來講，2016 年第一季度，三星占了 35.1%，所占市場份額很大。整個(gè)存儲器芯片里面，三星所占市場份額是最大的，目前在市場上主導(dǎo)地位的是閃存（flash memory）。當(dāng)工藝線寬小于 16nm 的時(shí)候，傳統(tǒng)閃存面臨著一定的物理極限。主要的問題：1、可靠性問題。工藝線寬尺寸小于 16nm 時(shí)，厚度逐漸下降，可靠性存在問題，可靠性限制了存儲器單層的厚度。2、當(dāng)然那還有構(gòu)造問題。3、擦寫速度慢。4、有效的擦寫次數(shù)。

傳統(tǒng)閃存繼續(xù)發(fā)展面臨的技術(shù)瓶頸

   三星

   2008年基于90nm工藝制備512Mb相變存儲器芯片； 2011年基于58nm工藝制備1Gb相變存儲器芯片；2012 年基于 20nm 工藝制備 8Gb 相變存儲器芯片；2014 年發(fā)布相變存儲器的產(chǎn)業(yè)報(bào)告。

三星在相變存儲器領(lǐng)域的布局

   美光

   2009 年基于 45nm 工藝制備1Gb 相變存儲器芯片； 2011 年發(fā)布第一款基于相變存儲器的 SSD；2013 年基于 45nm 工藝 1Gb 相變存儲器芯片實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)；2015 年聯(lián)合 Intel發(fā)布 3D Xpoint。