CQM1-TC101三極管NPN與PNP的電路符號與外形如圖5-1所示。一般硅管多為NPN型,鍺管多為PNP型。

三極管的結(jié)構(gòu)特點是基區(qū)特別薄，發(fā)射區(qū)摻雜濃度特別高，集電結(jié)面積特別大。貼片三極管有三個或四個電極。一般三個電極的貼片三極管從頂端往下看有兩邊，上邊只有一腳的為集電極，下邊的兩腳分別是基極和發(fā)射極。在四個電極的貼片三極管中，比較大的一個引腳是三極管的集電極，另有兩個引腳相通是發(fā)射極，余下的一個是基極。

特性曲線是指三極管各電極之間的電壓與電流之間的關(guān)系曲線,包括輸人特性曲線與輸出特性曲線兩種。

輸人特性曲線:集射極之間的電壓UcE一定時,發(fā)射結(jié)電壓U:E與基極電流I:之間的關(guān)系曲線如圖5-2所示。

輸出特性曲線:基極電流一定時,集、射極之間的電壓與集電極電流的關(guān)系曲線,如圖5-3所示。

放大區(qū) 在放大區(qū)有Ic=″:,也稱為線性區(qū),具有恒流特性。在放大區(qū),發(fā)射結(jié)處于正向偏置、集電結(jié)處于反向偏置,三極管工作于放大狀態(tài)。對于NPN管放大作用的條件是UcB>0,U:E>0或Uc)U:>UE。對于PNP放大作用的條件是Uc:(0,U:E<0或Uc(U:<UE。rc平行于UcE軸的區(qū)域,曲線基本平行等距。

截止區(qū) I:(0以下區(qū)域為截止區(qū),有rc≈o。在截止區(qū)發(fā)射結(jié)處于反向偏置,集電結(jié)處于反向偏置,晶體管工作于截止?fàn)顟B(tài)。三極管相當(dāng)于工作于斷開狀態(tài),此時三極管基射電壓Lr:E小于死區(qū)電壓。rc接近零的區(qū)域,相當(dāng)r:=o的曲線下方。

飽和區(qū) 當(dāng)⒒E≤U:E時,晶體管工作于飽和狀態(tài)。在飽和區(qū)IB:≥rc,發(fā)射結(jié)處于正向偏置,集電結(jié)也處于正偏。深度飽和時,硅管UcFs≈0,3V,鍺管UcEs≈0.1V。UcE很小,=極管相當(dāng)于工作于短接狀態(tài),一般UcE≤U:E,此時三極管的壓降稱為飽和壓降。