CDC960DLG4轉(zhuǎn)移特性和輸出特性都是反映場效應管工作時,UGS UDS ID之間的關系,轉(zhuǎn)移特性與輸出特性是可以互相轉(zhuǎn)換的.

在場效應管漏源電壓保持不變的情況下,從圖8-4中可以得出以下結(jié)論:柵源電壓UGs=0時,漏極電流【D=】Dss。柵源電壓UGs向負值方向變化時,漏極電流ID逐漸減小。柵源電壓UGs=UP時,漏極電流JD=0。

IDss稱為飽和漏極電流,UP稱為夾斷電壓。

輸出特性曲線 輸出特性曲線是表示在柵源電壓一定條件下,漏極電流與漏源電壓之間的關系,如圖8-5所示。

根據(jù)工作特性可分可變電阻區(qū)、放大區(qū)、擊穿區(qū)、截止區(qū)。

由場效應管組成的放大電路中,場效應管必須工作在放大區(qū),即必須采用合適的直流電流將其工作點(UDs,rD)設置于輸出特性曲線的放大區(qū)或恒流區(qū),且保持穩(wěn)定。與三極管放大電路相類似,場效應管放大電路有共源、共漏、共柵=種接法。

絕緣柵型場效應管

絕緣柵場效應管是一種柵極與源極、漏極之間有絕緣層的場效應管,簡稱MOS管。絕緣柵場效應管也有N溝道型及P溝道型兩種結(jié)構(gòu)形式。無論是N溝道型或P溝道型,都有增強型和耗盡型兩種。

N溝道增強型絕緣柵場效應管 以P型硅片作為襯底.其間擴散兩個高摻雜的N・區(qū)并引出兩個電極,作為源極S和漏級D。制作場效應管時先在半導體上制作Sio2絕緣層,之后在Sio2上制作一層金屬鋁,引出電極作為柵極G,此時的P型半導體稱為襯底B。N溝道增強型絕緣柵場效應管的結(jié)構(gòu)及符號如圖8-6所示。