9T06031A7872CAHFT下午學(xué)技能 場(chǎng)效管、晶閘管的檢測(cè)

場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)

開啟電壓UT MOs增強(qiáng)型管的參數(shù),柵源電壓小于開啟電壓的絕對(duì)值9場(chǎng)效應(yīng)管不能導(dǎo)通。

夾斷電壓UP 耗盡型FET的參數(shù),當(dāng)UGs=LJP時(shí).漏極電流為零。

飽和漏極電流IDss耗盡型場(chǎng)效應(yīng)三極管當(dāng)UGs=0時(shí)所對(duì)應(yīng)的漏極電流。

直流輸人電阻RGs柵源間所加的恒定電壓UGs與流過柵極電流I Gs之比。結(jié)型大于107Ω,絕緣柵型為109~1015Ω。

⑤漏源擊穿電壓U(BR)Ds 使ID開始劇增時(shí)的UDs。

⑥柵源擊穿電壓U(BR)Gs

JFET:反向飽和電流劇增時(shí)的柵源電壓。

MOS:使sio2絕緣層擊穿的電壓。

低頻跨導(dǎo)gM 指UDs一定時(shí),漏極電流變化量△ID和柵源電壓變化量△UGs之比,表示柵源電壓對(duì)漏極電流的控制能力。

極間電容 場(chǎng)效應(yīng)管三個(gè)電極之間的等效電容CGs(柵極與源極間電容)、C GD(柵極與漏極間電容)、CDs(源極與漏極間電容),一般為幾皮法,結(jié)電容小的管子,高頻性能好。

晶閘管的主要參數(shù)

正向阻斷峰值電壓(UDRM) 在門極斷路而結(jié)溫為額定值時(shí),允許重復(fù)加在器件上的正向峰值電壓,一般為正向轉(zhuǎn)折電壓的80%。

反向重復(fù)峰值電壓(URRM) 在門極斷路而結(jié)溫為額定值時(shí),允許重復(fù)加在器件上的反向峰值電壓,一般為反向擊穿電壓的80%。

通態(tài)(峰值)電壓(UTM) 晶間管通以某一規(guī)定倍數(shù)的額定通態(tài)平均電流時(shí)的瞬態(tài)峰值電壓(一般為2V)。

通態(tài)平均電流(額定電流)IT(Av) 在環(huán)境溫度為40℃和規(guī)定的冷卻條件下,晶閘管在電阻性負(fù)載導(dǎo)通角不小于170°的單相工頻正弦半波電路中,當(dāng)結(jié)溫穩(wěn)定且不超過額定結(jié)溫時(shí)所允許的最大通態(tài)平均電流。