先進(jìn)的6nm EUV工藝。多層極紫外(EUV)光刻技術(shù)加持，工藝光源波長(zhǎng)縮短到13.5nm，接近X射線(xiàn)的精度帶來(lái)了極高的光刻分辨率，使芯片的成本、性能和功耗達(dá)到了更好的平衡。相比上一代7nm，6nm EUV晶體管密度提高了18%，這將使芯片單位面積內(nèi)集成更多的晶體管，芯片功耗降低8%，可提供更長(zhǎng)的續(xù)航時(shí)間。

全球首款全場(chǎng)景覆蓋增強(qiáng)5G調(diào)制解調(diào)器。支持5G NR TDD+FDD載波聚合，以及上下行解耦技術(shù)，可提升超過(guò)100%的覆蓋范圍�；谧瞎庹逛J創(chuàng)新的5G超級(jí)發(fā)射技術(shù)，可為小區(qū)近點(diǎn)提升60%上傳速率，解決了增強(qiáng)VR、4K/8K超高清視頻直播等業(yè)務(wù)需要更大上行帶寬的痛點(diǎn)。支持 Sub-6GHz 頻段和NSA/SA雙模組網(wǎng)，支持2G至5G七模全網(wǎng)通，在SA模式下，下行峰值速率超過(guò)3.25Gbps�；①ST7520還支持領(lǐng)先的雙卡雙5G以及EPS Fall back、VoNR高清語(yǔ)音視頻通話(huà)。

MT41K256M16TW-107:P

廠牌

MICRON/美光

IC 類(lèi)別

DDR3L SDRAM

IC代碼

256MX16 DDR3L

共通IC編號(hào)

產(chǎn)品詳情

腳位/封裝

FBGA-96(8*14mm)

外包裝

TRAY

無(wú)鉛/環(huán)保

無(wú)鉛/環(huán)保

電壓(伏)

1.35v

溫度規(guī)格

0°C~+85°C

速度

1866(MT/S)

標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù)量

1368

標(biāo)準(zhǔn)外箱

潛在應(yīng)用

MOTHERBOARD MANU./主機(jī)板製造商

OEM/ODM/TURNKEY/BUYING IC/組裝代工廠/購(gòu)買(mǎi)IC

Number Of Words

256M

Bit Organization

x16

Density

4G

Version

T

Product Family

DDR3 SDRAM

Die Revision

P

Max Clock Frequency

933 MHz

Production Status

Production

檢測(cè)到VCE(sat)過(guò)流后使用另一個(gè)外部N溝道MOSFET控制“柵極軟關(guān)斷時(shí)間”;另外，除了能通過(guò)監(jiān)控集電極電壓檢測(cè)到VCE(sat)之外，還有UVLO[3]檢測(cè)，將任意故障信號(hào)輸出到一次側(cè)。以上這些現(xiàn)有產(chǎn)品[2]不具備的新特性，能夠讓TLP5231幫助用戶(hù)更輕松地設(shè)計(jì)柵極驅(qū)動(dòng)電路。

應(yīng)用：

IGBT與功率MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)(預(yù)驅(qū)動(dòng))

交流電機(jī)和直流無(wú)刷電機(jī)控制

工業(yè)逆變器與不間斷電源(UPS)

光伏(PV)電源調(diào)節(jié)系統(tǒng)

(素材來(lái)源：ttic和21ic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）

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