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開關(guān)轉(zhuǎn)換器技術(shù)顯著降低

發(fā)布時間:2020/6/2 13:04:36 訪問次數(shù):1252

XC90154FN是為LCD和PDP TV、服務(wù)器、游戲控制臺和LED照明應(yīng)用而設(shè)計的。這款諧振控制器能夠簡化設(shè)計,降低材料清單成本并提供先進(jìn)的保護(hù)功能。

FAN7621在一個16腳SOP/DIP 封裝中集成了一個高壓驅(qū)動電路、一個電流控制的振蕩器、頻率限制電路、軟啟動和眾多的保護(hù)功能。此高集成度器件可省去昂貴的外部電路如脈沖變壓器,不僅節(jié)省電路板空間,還可降低總體設(shè)計成本。FAN7621內(nèi)部的高壓驅(qū)動電路提供了消除共模噪聲的附加功能,確保實現(xiàn)卓越的抗噪性能,使應(yīng)用該器件的系統(tǒng)能滿足嚴(yán)格的EMI規(guī)范要求。為了進(jìn)一步提高抗噪性能,F(xiàn)AN7621為設(shè)計人員提供了零電壓開關(guān) (ZVS) 技術(shù),能夠降低開關(guān)噪聲并允許使用尺寸更小和成本更低的EMI濾波器。

具有強大的保護(hù)功能如過壓保護(hù) (OVP)、過流保護(hù) (OCP)、異常過流保護(hù) (AOCP) 和內(nèi)部過溫保護(hù)(TSD)。其它的解決方案需要附加組件才可獲得相同水平的保護(hù)功能,這會增加設(shè)計時間和系統(tǒng)的總成本。

相比傳統(tǒng)的硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器拓?fù),F(xiàn)AN7621的ZVS 技術(shù)能夠顯著降低 MOSFET 和整流管的開關(guān)損耗,將效率提升達(dá)10%,對于PDP TV等應(yīng)用,效率可達(dá)97%。ZVS 技術(shù)的一個附加優(yōu)勢是大幅減少開關(guān)噪聲,相比硬開關(guān)技術(shù),至少降低5dB。

FPGA設(shè)計解決方案在業(yè)界率先為邏輯、數(shù)字信號處理、嵌入式處理以及系統(tǒng)級設(shè)計提供了完全可互操作的領(lǐng)域?qū)S迷O(shè)計流程和工具配置。 該新版本為面向多種市場和應(yīng)用的基于FPGA的片上系統(tǒng)解決方案提供了更簡單、更智能的設(shè)計方法。賽靈思公司致力于為設(shè)計人員提供目標(biāo)設(shè)計平臺,而ISE 設(shè)計套件 11.1版本的推出是一個重要的里程碑。

為更好地滿足當(dāng)前異常多元化的FPGA應(yīng)用對先進(jìn)FPGA設(shè)計技術(shù)的需求,賽靈思公司此次推出的ISE設(shè)計套件創(chuàng)新性地提供了四個針對特定領(lǐng)域而優(yōu)化的配置版本:邏輯版本(Logic Edition)、DSP版本(DSP Edition)、嵌入式版本(Embedded Edition)和系統(tǒng)版本(System Edition)。 每一版本都提供了完整的FPGA設(shè)計流程,并且專門針對特定的用戶群體(工程師)和特定領(lǐng)域的設(shè)計方法及設(shè)計環(huán)境要求進(jìn)行了優(yōu)化,從而使設(shè)計人員能夠?qū)⒏嗑杏趧?chuàng)建增值的、具有競爭力的差異化產(chǎn)品和應(yīng)用。

72-Mbit QDRII、QDRII+、DDRII 和 DDRII+ 存儲器是采用65 納米線寬的Quad Data Rate (QDR) 和Double Data Rate (DDR) SRAM 器件。新型SRAM 實現(xiàn)了目前市場上最快的550 MHz時鐘速度,在36 位I/O 寬度的QDRII+ 器件中可實現(xiàn)高達(dá) 80 Gbps 的總數(shù)據(jù)傳輸速度,而功耗僅為90 納米SRAM 的一半。這種新型存儲器非常適用于因特網(wǎng)核心與邊緣路由器、固定與模塊化以太網(wǎng)交換機、3G 基站和安全路由器等網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用,而且還能提高醫(yī)療影像和軍用信號處理系統(tǒng)的性能。產(chǎn)品可與 90 納米 SRAM 引腳兼容,從而幫助網(wǎng)絡(luò)客戶提高性能、增加端口密度,而且還不必改變原有的板卡布局。

相對于 90 納米的上一代產(chǎn)品,65 納米的 QDR 和 DDR SRAM 能將輸入輸出電容降低 60%。QDRII+ 和 DDRII+ 器件具有片內(nèi)終結(jié)電阻器 (ODT),消除了外部端需接電阻的要求,因而可提高信號的完整性,降低系統(tǒng)成本,節(jié)約板上空間。65 納米產(chǎn)品采用的是鎖相環(huán)路 (PLL) 而非延遲鎖相環(huán) (DLL) 技術(shù),其可使數(shù)據(jù)有效窗口擴展 35%。

(素材來源:21IC和ttic和eechina.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

深圳市斌能達(dá)電子科技有限公司http://jkic888.51dzw.com/


XC90154FN是為LCD和PDP TV、服務(wù)器、游戲控制臺和LED照明應(yīng)用而設(shè)計的。這款諧振控制器能夠簡化設(shè)計,降低材料清單成本并提供先進(jìn)的保護(hù)功能。

FAN7621在一個16腳SOP/DIP 封裝中集成了一個高壓驅(qū)動電路、一個電流控制的振蕩器、頻率限制電路、軟啟動和眾多的保護(hù)功能。此高集成度器件可省去昂貴的外部電路如脈沖變壓器,不僅節(jié)省電路板空間,還可降低總體設(shè)計成本。FAN7621內(nèi)部的高壓驅(qū)動電路提供了消除共模噪聲的附加功能,確保實現(xiàn)卓越的抗噪性能,使應(yīng)用該器件的系統(tǒng)能滿足嚴(yán)格的EMI規(guī)范要求。為了進(jìn)一步提高抗噪性能,F(xiàn)AN7621為設(shè)計人員提供了零電壓開關(guān) (ZVS) 技術(shù),能夠降低開關(guān)噪聲并允許使用尺寸更小和成本更低的EMI濾波器。

具有強大的保護(hù)功能如過壓保護(hù) (OVP)、過流保護(hù) (OCP)、異常過流保護(hù) (AOCP) 和內(nèi)部過溫保護(hù)(TSD)。其它的解決方案需要附加組件才可獲得相同水平的保護(hù)功能,這會增加設(shè)計時間和系統(tǒng)的總成本。

相比傳統(tǒng)的硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器拓?fù),F(xiàn)AN7621的ZVS 技術(shù)能夠顯著降低 MOSFET 和整流管的開關(guān)損耗,將效率提升達(dá)10%,對于PDP TV等應(yīng)用,效率可達(dá)97%。ZVS 技術(shù)的一個附加優(yōu)勢是大幅減少開關(guān)噪聲,相比硬開關(guān)技術(shù),至少降低5dB。

FPGA設(shè)計解決方案在業(yè)界率先為邏輯、數(shù)字信號處理、嵌入式處理以及系統(tǒng)級設(shè)計提供了完全可互操作的領(lǐng)域?qū)S迷O(shè)計流程和工具配置。 該新版本為面向多種市場和應(yīng)用的基于FPGA的片上系統(tǒng)解決方案提供了更簡單、更智能的設(shè)計方法。賽靈思公司致力于為設(shè)計人員提供目標(biāo)設(shè)計平臺,而ISE 設(shè)計套件 11.1版本的推出是一個重要的里程碑。

為更好地滿足當(dāng)前異常多元化的FPGA應(yīng)用對先進(jìn)FPGA設(shè)計技術(shù)的需求,賽靈思公司此次推出的ISE設(shè)計套件創(chuàng)新性地提供了四個針對特定領(lǐng)域而優(yōu)化的配置版本:邏輯版本(Logic Edition)、DSP版本(DSP Edition)、嵌入式版本(Embedded Edition)和系統(tǒng)版本(System Edition)。 每一版本都提供了完整的FPGA設(shè)計流程,并且專門針對特定的用戶群體(工程師)和特定領(lǐng)域的設(shè)計方法及設(shè)計環(huán)境要求進(jìn)行了優(yōu)化,從而使設(shè)計人員能夠?qū)⒏嗑杏趧?chuàng)建增值的、具有競爭力的差異化產(chǎn)品和應(yīng)用。

72-Mbit QDRII、QDRII+、DDRII 和 DDRII+ 存儲器是采用65 納米線寬的Quad Data Rate (QDR) 和Double Data Rate (DDR) SRAM 器件。新型SRAM 實現(xiàn)了目前市場上最快的550 MHz時鐘速度,在36 位I/O 寬度的QDRII+ 器件中可實現(xiàn)高達(dá) 80 Gbps 的總數(shù)據(jù)傳輸速度,而功耗僅為90 納米SRAM 的一半。這種新型存儲器非常適用于因特網(wǎng)核心與邊緣路由器、固定與模塊化以太網(wǎng)交換機、3G 基站和安全路由器等網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用,而且還能提高醫(yī)療影像和軍用信號處理系統(tǒng)的性能。產(chǎn)品可與 90 納米 SRAM 引腳兼容,從而幫助網(wǎng)絡(luò)客戶提高性能、增加端口密度,而且還不必改變原有的板卡布局。

相對于 90 納米的上一代產(chǎn)品,65 納米的 QDR 和 DDR SRAM 能將輸入輸出電容降低 60%。QDRII+ 和 DDRII+ 器件具有片內(nèi)終結(jié)電阻器 (ODT),消除了外部端需接電阻的要求,因而可提高信號的完整性,降低系統(tǒng)成本,節(jié)約板上空間。65 納米產(chǎn)品采用的是鎖相環(huán)路 (PLL) 而非延遲鎖相環(huán) (DLL) 技術(shù),其可使數(shù)據(jù)有效窗口擴展 35%。

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