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微弱電流信號探測范圍

發(fā)布時間:2020/6/5 18:58:33 訪問次數(shù):1796

制造商:Infineon產(chǎn)品種類:IGBT 模塊RoHS: 詳細(xì)信息商標(biāo):Infineon Technologies產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules配置:Hex集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V集電極—射極飽和電壓:1.7 V在25 C的連續(xù)集電極電流:205 A柵極—射極漏泄電流:400 nA最大工作溫度:+ 125 C封裝 / 箱體:EconoPACK封裝:Tray柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V最小工作溫度:- 40 C安裝風(fēng)格:ScrewPd-功率耗散:700 W工廠包裝數(shù)量:10

OPA277UA/2K5數(shù)據(jù)表

制造商: Texas Instruments

產(chǎn)品種類: 精密放大器

RoHS:  詳細(xì)信息  

系列: OPA277

通道數(shù)量: 1 Channel

GBP-增益帶寬產(chǎn)品: 1 MHz

SR - 轉(zhuǎn)換速率 : 0.8 V/us

CMRR - 共模抑制比: 130 dB to 140 dB

Ib - 輸入偏流: 1 nA

Vos - 輸入偏置電壓 : 0.02 mV

en - 輸入電壓噪聲密度: 12 nV/sqrt Hz

工作電源電流: 790 uA

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

關(guān)閉: No Shutdown

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOIC-8

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

放大器類型: Low Offset Amplifier  

特點: Small Size  

高度: 1.58 mm  

輸入類型: Rail to Rail  

長度: 4.9 mm  

輸出類型: Rail to Rail  

產(chǎn)品: Precision Amplifiers  

電源類型: Dual  

技術(shù): Bipolar  

寬度: 3.91 mm  

商標(biāo): Texas Instruments  

雙重電源電壓: +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V  

In—輸入噪聲電流密度: 0.2 pA/sqrt Hz  

最大雙重電源電壓: +/- 18 V  

最小雙重電源電壓: +/- 2 V  

濕度敏感性: Yes  

工作電源電壓: +/- 2 V to +/- 18 V  

產(chǎn)品類型: Precision Amplifiers  

PSRR - 電源抑制比: 130.46 dB  

工廠包裝數(shù)量: 2500  

子類別: Amplifier ICs  

電壓增益 dB: 140 dB  

單位重量: 76 mg  

大規(guī)模數(shù)模混合集成電路,將主要針對各種工業(yè)級和醫(yī)療電子應(yīng)用,如安檢系統(tǒng)、醫(yī)療CT掃描、紅外探測、工業(yè)無損探傷和光電轉(zhuǎn)換等。該芯片是國內(nèi)首款高集成度、高性能、抗惡劣環(huán)境多通道微弱信號放大芯片。 隨著我國社會發(fā)展和基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)速度加快,針對各種工業(yè)應(yīng)用和醫(yī)療應(yīng)用的系統(tǒng)設(shè)備市場快速成長,但在這些領(lǐng)域內(nèi)的許多系統(tǒng)開發(fā)商卻長期受制于國外技術(shù),很難實現(xiàn)芯片級的系統(tǒng)開發(fā)和創(chuàng)新。北京東微通過與國內(nèi)系統(tǒng)廠商的深入交流,提出了用創(chuàng)新替代國外同類產(chǎn)品的構(gòu)想。本次推出的EMT1010基于創(chuàng)新的時鐘延遲技術(shù),可利用32通道將X光、紅外線等射線傳感器產(chǎn)生的微弱電流信號(pA級)同時進行放大和輸出,經(jīng)過A/D轉(zhuǎn)換后實現(xiàn)快速計算機成像。 為了給系統(tǒng)廠商帶來最高的性能價格比,采用了標(biāo)準(zhǔn)的CMOS工藝技術(shù);同時針對微弱電流信號探測領(lǐng)域應(yīng)用需求差異性較大的特點,制定了用高集成度、多通道、環(huán)境適應(yīng)性強的性能,來應(yīng)對不同應(yīng)用需求的產(chǎn)品策略。EMT1010可將安檢設(shè)備、醫(yī)療電子設(shè)備、光電及紅外設(shè)備等應(yīng)用的模擬前端功能模塊性價比大幅度提高。 EMT1010具有良好的放大線形度和快速響應(yīng)能力,以及優(yōu)化的輸出噪聲,它采用QFP64封裝形式。 EMT1010主要參數(shù): 微弱電流信號探測范圍 10pA~10nA 線性度誤差 ≤0.1% 輸出噪聲 60μV[rms] 電荷存儲動態(tài)范圍 18pC、12pC、10pC、6pC 積分時間 2ms~20ms 讀出速率 ≤3.125KSPS 系統(tǒng)主時鐘 0.1MHz~1MHz 功耗 7.5mW/channel

(素材來源:21IC和ttic和eechina.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

http://susin.51dzw.com/

制造商:Infineon產(chǎn)品種類:IGBT 模塊RoHS: 詳細(xì)信息商標(biāo):Infineon Technologies產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules配置:Hex集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V集電極—射極飽和電壓:1.7 V在25 C的連續(xù)集電極電流:205 A柵極—射極漏泄電流:400 nA最大工作溫度:+ 125 C封裝 / 箱體:EconoPACK封裝:Tray柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V最小工作溫度:- 40 C安裝風(fēng)格:ScrewPd-功率耗散:700 W工廠包裝數(shù)量:10

OPA277UA/2K5數(shù)據(jù)表

制造商: Texas Instruments

產(chǎn)品種類: 精密放大器

RoHS:  詳細(xì)信息  

系列: OPA277

通道數(shù)量: 1 Channel

GBP-增益帶寬產(chǎn)品: 1 MHz

SR - 轉(zhuǎn)換速率 : 0.8 V/us

CMRR - 共模抑制比: 130 dB to 140 dB

Ib - 輸入偏流: 1 nA

Vos - 輸入偏置電壓 : 0.02 mV

en - 輸入電壓噪聲密度: 12 nV/sqrt Hz

工作電源電流: 790 uA

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

關(guān)閉: No Shutdown

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOIC-8

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

放大器類型: Low Offset Amplifier  

特點: Small Size  

高度: 1.58 mm  

輸入類型: Rail to Rail  

長度: 4.9 mm  

輸出類型: Rail to Rail  

產(chǎn)品: Precision Amplifiers  

電源類型: Dual  

技術(shù): Bipolar  

寬度: 3.91 mm  

商標(biāo): Texas Instruments  

雙重電源電壓: +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V  

In—輸入噪聲電流密度: 0.2 pA/sqrt Hz  

最大雙重電源電壓: +/- 18 V  

最小雙重電源電壓: +/- 2 V  

濕度敏感性: Yes  

工作電源電壓: +/- 2 V to +/- 18 V  

產(chǎn)品類型: Precision Amplifiers  

PSRR - 電源抑制比: 130.46 dB  

工廠包裝數(shù)量: 2500  

子類別: Amplifier ICs  

電壓增益 dB: 140 dB  

單位重量: 76 mg  

大規(guī)模數(shù);旌霞呻娐,將主要針對各種工業(yè)級和醫(yī)療電子應(yīng)用,如安檢系統(tǒng)、醫(yī)療CT掃描、紅外探測、工業(yè)無損探傷和光電轉(zhuǎn)換等。該芯片是國內(nèi)首款高集成度、高性能、抗惡劣環(huán)境多通道微弱信號放大芯片。 隨著我國社會發(fā)展和基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)速度加快,針對各種工業(yè)應(yīng)用和醫(yī)療應(yīng)用的系統(tǒng)設(shè)備市場快速成長,但在這些領(lǐng)域內(nèi)的許多系統(tǒng)開發(fā)商卻長期受制于國外技術(shù),很難實現(xiàn)芯片級的系統(tǒng)開發(fā)和創(chuàng)新。北京東微通過與國內(nèi)系統(tǒng)廠商的深入交流,提出了用創(chuàng)新替代國外同類產(chǎn)品的構(gòu)想。本次推出的EMT1010基于創(chuàng)新的時鐘延遲技術(shù),可利用32通道將X光、紅外線等射線傳感器產(chǎn)生的微弱電流信號(pA級)同時進行放大和輸出,經(jīng)過A/D轉(zhuǎn)換后實現(xiàn)快速計算機成像。 為了給系統(tǒng)廠商帶來最高的性能價格比,采用了標(biāo)準(zhǔn)的CMOS工藝技術(shù);同時針對微弱電流信號探測領(lǐng)域應(yīng)用需求差異性較大的特點,制定了用高集成度、多通道、環(huán)境適應(yīng)性強的性能,來應(yīng)對不同應(yīng)用需求的產(chǎn)品策略。EMT1010可將安檢設(shè)備、醫(yī)療電子設(shè)備、光電及紅外設(shè)備等應(yīng)用的模擬前端功能模塊性價比大幅度提高。 EMT1010具有良好的放大線形度和快速響應(yīng)能力,以及優(yōu)化的輸出噪聲,它采用QFP64封裝形式。 EMT1010主要參數(shù): 微弱電流信號探測范圍 10pA~10nA 線性度誤差 ≤0.1% 輸出噪聲 60μV[rms] 電荷存儲動態(tài)范圍 18pC、12pC、10pC、6pC 積分時間 2ms~20ms 讀出速率 ≤3.125KSPS 系統(tǒng)主時鐘 0.1MHz~1MHz 功耗 7.5mW/channel

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