開發(fā)板基于STM32F0系列32位ARM® Cortex®微控制器STM32F030R8T6, 集成ST-LINK/V2 嵌入式調(diào)試工具接口，LED,按鈕，以及易于連接其他組件和模塊的原型板。

薄膜電容器的電解質(zhì)采用了幾μm厚的塑料膜，在混合動力汽車以及電動汽車用途中主要使用了聚丙烯膜上蒸鍍了金屬作為內(nèi)部電極的

蒸鍍金屬類(金屬化膜)，這些具備了如下所示的卓越的電氣特性和安全性、高可靠性等特長。

對溫度變化保持穩(wěn)定的電容特性

耐電壓性能卓越，最適合高電壓用途

低損耗，因此抑制產(chǎn)品自身的發(fā)熱，可實現(xiàn)節(jié)能化

敏銳的高頻特性，過濾效果卓越

紋波電流耐量高，單位體積的電流密度大

自我恢復功能(自我修復)，安全性卓越

高溫環(huán)境下10年以上無需維護

高耐電壓、低損耗、高紋波電流、長壽命等卓越的電氣特性的薄膜電容器規(guī)格。

通過介質(zhì)膜的薄膜化實現(xiàn)小型化

通過開發(fā)蒸鍍技術實現(xiàn)高耐電壓化、長壽命化

通過降低ESR支持高紋波電流

通過開發(fā)構件的材料強化可靠性

通過優(yōu)化結構設計強化散熱性

等功能的薄膜電容器。

更寬的工作電壓范圍，6.7 V 至 45 V三相柵極驅(qū)動器

600ma 下沉 / 源集成引導放電交叉?zhèn)鲗Х烙?2 something arm cortex-m0 something: 高達48mhz 的時鐘頻率4 k 字節(jié)的內(nèi)存，配有 hw 參數(shù)32 k 字節(jié)的閃存，可選字節(jié)用于寫 / 讀引導保護可用性加載程序

三個半橋式柵極驅(qū)動，電流容量為600mA（灌電流和拉電流），能夠驅(qū)動功率MOSFETs。由于集成的互鎖功能，不能同時打開同一半橋的高、低側開關。

器件內(nèi)部的3.3V DC/DC降壓轉換器可為MCU和外部元件供電，而其內(nèi)部的LDO線性穩(wěn)壓器則可為柵極驅(qū)動器供電。

集成運算放大器可用于信號調(diào)節(jié)，比如采樣電阻上的信號反饋。

集成可編程閾值的比較器可實現(xiàn)過電流保護功能。

集成的MCU（STM32F031C6后綴7的版本并擴展了溫度范圍，）能夠?qū)崿F(xiàn)電機磁場矢量控制（FOC）、6步無傳感器等其它先級的驅(qū)動算法。它還具有針對嵌入式閃存的寫入保護和讀出保護功能，以防止不必要的寫入和/或讀取。集成嵌入式引導裝載程序（Bootloader），可以通過串口下載固件。

STSPIN32F0A 器件也具有過溫和欠壓鎖定保護功能，可置于待機模式，以減少功耗。它有16個通用 I/O（輸入/輸出）端口 （GPIO通用輸入/輸出）, 最大耐壓為5V；有1個多達9通道的12位模擬數(shù)字轉換器，可在單次模式或掃描模式下進行轉換；有5個同步通用定時器。此外，器件還支持易于使用的調(diào)試串行接口（SWD——串行線調(diào)試）。