Analog Devices的ADF4371和ADF4372微波寬帶合成器。ADF4371是目前業(yè)界頻率最高的合成器之一，可提供62 MHz至32 GHz 的超廣連續(xù)射頻輸出，而ADF4372則能在62 MHz至16 GHz 的范圍內(nèi)運(yùn)行，適用非高頻設(shè)計。

Analog Devices ADF4371和ADF4372 微波寬帶合成器包含鎖相環(huán) (PLL)、全集成壓控振蕩器 (VCO)、低壓差穩(wěn)壓器 (LDO) 以及跟蹤濾波技術(shù)。這兩款器件具有業(yè)界最低的抖動（10GHz時為36fs）當(dāng)與外部環(huán)路濾波器和外部參考源搭配使用時，可實(shí)現(xiàn)高分辨率小數(shù)N分頻或整數(shù)N分頻鎖相環(huán)頻率合成器。

兩款合成器尺寸小巧，只有7 mm × 7 mm，具有高帶寬、更小的板空間、高可靠性、低噪聲、更寬的時鐘范圍，以及更高的靈活性，能讓各種RF應(yīng)用功能更為完善，適合于無線基礎(chǔ)設(shè)施（MC-GSM多載波全球移動通信系統(tǒng)、5G等）、測試設(shè)備和儀器、時鐘發(fā)生器以及航空航天和國防等設(shè)計。為了便于開發(fā)，貿(mào)澤還提供了相應(yīng)的評估板和SDP-S控制器板。

GaN FET在電力電子裝置應(yīng)用廣泛。研究者主要是利用GaN FET高的開關(guān)頻率、低的開關(guān)損耗等優(yōu)勢，通過提高變換器工作頻率減小裝置體積，進(jìn)而提高裝置效率、降低裝置成本、增加收益。

GaN FET變換器在其他方面的應(yīng)用研究情況。GaN FET目前多用在中小功率變換器上，隨著開關(guān)頻率的提高，變換器效率降低，但基本在90%及以上。實(shí)驗證明，效率的降低與開關(guān)損耗機(jī)理有關(guān)[29]。當(dāng)然，除了提高效率，用GaN FET設(shè)計的功率1 kW以上的變換器，輸出電壓和電流紋波很小[30-31]。此外，采用GaN FET并聯(lián)技術(shù)[32-34]有可能使其應(yīng)用到10 kW及以上的大功率場合。可見，GaN FET在變換器的應(yīng)用前景廣闊。

對GaN FET的器件結(jié)構(gòu)、驅(qū)動電路以及應(yīng)用的研究，可以看出只要解決GaN FET高頻下獨(dú)特的柵極振蕩問題，就能極大地推動它的發(fā)展。一般可從兩方面著手，一是設(shè)計性能更好的器件結(jié)構(gòu)；二是設(shè)計更合理的驅(qū)動電路。雖然GaN FET目前在中小功率場合更有優(yōu)勢，對GaN FET性能的不斷改進(jìn)和提高，更多大功率場合也必然有GaN FET的一席之地。

TMC5160具有完整的運(yùn)動控制功能、強(qiáng)大的外部MOSFET驅(qū)動和高質(zhì)量的電流調(diào)節(jié)。它提供了多種用途，涵蓋了從電池供電的高效系統(tǒng)到20安培電機(jī)線圈電流的嵌入式應(yīng)用。TMC5160包含驅(qū)動電機(jī)所需的全部功能，可配置為位置模式或速度模式，支持TRINAMICs獨(dú)有的stallGuard2, coolStep, dcStep, spreadCycle和stealthChop功能，優(yōu)化了驅(qū)動器性能，平衡了速度和電機(jī)扭矩，優(yōu)化能源效率、驅(qū)動平穩(wěn)且無噪音。TMC 5160的集成度高、尺寸小、成本降低，可滿足小型化布板需求。芯片、控制板和軟件級別的廣泛支持，使競爭產(chǎn)品能夠縮短設(shè)計周期、快速上市。高能效和可靠性可簡化相關(guān)系統(tǒng)(如電源和冷卻系統(tǒng))設(shè)計，并節(jié)約成本。TMC5130提供1.4A的電機(jī)電流，適合功率較小的應(yīng)用，軟件與TMC5160兼容。

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