TP4056智能溫度控制TP4056內(nèi)部集成了智能溫度控制功能，當(dāng)芯片溫度高于125℃時(shí),會(huì)自動(dòng)減小充電電流。 該功能允許用戶提高給定電路板功率處理能力的上限而沒(méi)有損壞  TP4056  的風(fēng)險(xiǎn)。在保證充電器將在最壞情況條件下自動(dòng)減小電流的前提下，可根據(jù)典型（而不是最壞情況）環(huán)境溫度來(lái)設(shè)定充電電流。

在電路板設(shè)計(jì)中，頻率的增加會(huì)對(duì)信號(hào)完整性產(chǎn)生許多不良影響--特別是增加噪聲和衰減的影響。噪聲關(guān)于噪聲，首先要考慮的是，隨著系統(tǒng)頻率的增加，信號(hào)反射變得越來(lái)越重要。根據(jù)傳輸線理論，反射與傳輸線長(zhǎng)度與信號(hào)波長(zhǎng)之比直接相關(guān)。

信號(hào)波長(zhǎng)隨著頻率的增加而減小（λ= v / f）。隨著5G引入更高的頻率，設(shè)計(jì)人員還必須考慮信號(hào)反射的影響，例如振鈴或其他失真，這會(huì)在系統(tǒng)中引起更多噪聲并有效降低SNR。

GD5F4GM5系列也在相比于上一代NAND產(chǎn)品，大大提升了讀寫(xiě)速度，最高時(shí)鐘頻率達(dá)到120MHz，數(shù)據(jù)吞吐量可達(dá)480Mbit/s，支持1.8V/3.3V供電電壓，能夠滿足客戶對(duì)不同供電電壓的需求；同時(shí)提供WSON8、TFBGA24等多種封裝選擇。

GD5F4GM5系列產(chǎn)品特性

兼容1.8V/3.3V供電電壓

支持4KB Cache隨機(jī)讀取

四通道SPI接口，Quad IO數(shù)據(jù)吞吐量可達(dá)480Mbit/s

內(nèi)置8bit ECC糾錯(cuò)技術(shù)

支持標(biāo)準(zhǔn)WSON8、TFBGA24封裝

支持工業(yè)級(jí)-40~85℃溫度范圍

電容和電感耦合此外，由于電容和電感分別與電壓和電流的變化率相關(guān)，因此電容耦合和電感耦合的影響變得更加相關(guān) 。這也會(huì)產(chǎn)生噪聲和失真，從而降低SNR。衰減與集膚效應(yīng)關(guān)于衰減，一個(gè)重要的考慮因素是所謂的集膚效應(yīng)。實(shí)質(zhì)上表明，隨著信號(hào)頻率的增加，信號(hào)在導(dǎo)體內(nèi)的穿透深度會(huì)減小。

24nm SPI NAND Flash——GD5F4GM5，兼顧容量和性能的提升，更好地服務(wù)于代碼存儲(chǔ)領(lǐng)域，致力于為5G、物聯(lián)網(wǎng)、網(wǎng)通、安防，以及包括可穿戴式設(shè)備在內(nèi)的消費(fèi)類(lèi)應(yīng)用場(chǎng)景提供大容量、具備成本優(yōu)勢(shì)的解決方案。

GD5F4GM5系列已全面量產(chǎn)，代表了國(guó)產(chǎn)SPI NAND Flash工藝技術(shù)量產(chǎn)的最高水準(zhǔn)。該產(chǎn)品采用串行SPI接口，引腳少、封裝尺寸小，在集成了存儲(chǔ)陣列和控制器的同時(shí)，還帶有內(nèi)部ECC糾錯(cuò)算法，擦寫(xiě)次數(shù)可達(dá)5萬(wàn)次，提高可靠性的同時(shí)延長(zhǎng)產(chǎn)品使用壽命。

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