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漏極底置封裝替換成新的源極底置封裝

發(fā)布時間:2020/11/1 22:45:24 訪問次數(shù):1752

第三方BMS企業(yè)正面臨來自整車企業(yè)和動力電池企業(yè)的“雙重夾擊”。

BMS市場正呈現(xiàn)以下發(fā)展特點:逐步向頭部企業(yè)集中,中小企業(yè)市場份額持續(xù)萎縮;在整車企業(yè)和動力電池企業(yè)的雙向擠壓下,第三方企業(yè)的生存空間不斷縮小。

動力電池實現(xiàn)跨越仍需突破三大障礙,BMS是動力電池安全的“保護傘”,其成本約占動力電池模塊成本的10%。余雪松告訴記者,BMS能估測電池的荷電狀態(tài),檢測電池的使用狀態(tài),管控電池的循環(huán)壽命,并在充放電過程中對電池系統(tǒng)的加熱、冷卻及溫度均衡性進行調節(jié)。

不同的BMS模塊發(fā)揮著不同的功能。BMS系統(tǒng)通常包括檢測模塊與運算控制模塊。

Charles解讀了Qorvo收購Active Semi的原因,Active Semi是電源管理領域的專家,而Qorvo是射頻行業(yè)的領導者,雙方的結合之后,Active Semi優(yōu)秀的產品和技術可以借助Qorvo批量制造、多客戶渠道以及品牌優(yōu)勢,實現(xiàn)更廣泛的生產與推廣。而雙方未來也有可能將射頻技術與功率技術相結合,為客戶提供更完整的解決方案。

未來我們可以把電源領域的產品賦予射頻,從而實現(xiàn)產品的智能化。

Active-Semi的產品包括微處理器和模擬結合的智能電動機控制系統(tǒng)以及可編程電源管理兩部分,產品特性包括通過模塊化IP,為客戶設計生產高度定制化靈活的產品,同時具有可編程可配置特性,并提供豐富的軟件及IP資源。Larry強調,Active-Semi擁有眾多知識產權。

談及Active-Semi的獨到之處,Larry強調了Active-Semi在模擬和數(shù)字領域的結合,這也是公司順利開辟全新市場的重要原因。

源極底置,標準門極布局的封裝是基于當前的PQFN 3.3x3.3 mm引腳分配布局。電氣連接的位置保持不變,方便將如今標準的漏極底置封裝簡單直接地替換成新的源極底置封裝。在門極居中的封裝中,門極引腳被移到中心位置以便于多個MOSFET并聯(lián)。由于漏-源極爬電距離增大,多個器件的門極可以連接到同一層PCB上。此外,將門極接口移到中心位置還能使源極面積增大,從而改進器件的電氣連接。

這一技術創(chuàng)新可使RDS(on)相比現(xiàn)有技術大幅減小,減幅最高達到30%。相比現(xiàn)有的PQFN封裝,結-殼熱阻(RthJC)也得到大幅改進。由于寄生效應降低,PCB損耗改進,以及熱性能優(yōu)異,新封裝概念可為任何當代的工程設計帶來巨大的附加價值。

(素材來源:eccn.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)

第三方BMS企業(yè)正面臨來自整車企業(yè)和動力電池企業(yè)的“雙重夾擊”。

BMS市場正呈現(xiàn)以下發(fā)展特點:逐步向頭部企業(yè)集中,中小企業(yè)市場份額持續(xù)萎縮;在整車企業(yè)和動力電池企業(yè)的雙向擠壓下,第三方企業(yè)的生存空間不斷縮小。

動力電池實現(xiàn)跨越仍需突破三大障礙,BMS是動力電池安全的“保護傘”,其成本約占動力電池模塊成本的10%。余雪松告訴記者,BMS能估測電池的荷電狀態(tài),檢測電池的使用狀態(tài),管控電池的循環(huán)壽命,并在充放電過程中對電池系統(tǒng)的加熱、冷卻及溫度均衡性進行調節(jié)。

不同的BMS模塊發(fā)揮著不同的功能。BMS系統(tǒng)通常包括檢測模塊與運算控制模塊。

Charles解讀了Qorvo收購Active Semi的原因,Active Semi是電源管理領域的專家,而Qorvo是射頻行業(yè)的領導者,雙方的結合之后,Active Semi優(yōu)秀的產品和技術可以借助Qorvo批量制造、多客戶渠道以及品牌優(yōu)勢,實現(xiàn)更廣泛的生產與推廣。而雙方未來也有可能將射頻技術與功率技術相結合,為客戶提供更完整的解決方案。

未來我們可以把電源領域的產品賦予射頻,從而實現(xiàn)產品的智能化。

Active-Semi的產品包括微處理器和模擬結合的智能電動機控制系統(tǒng)以及可編程電源管理兩部分,產品特性包括通過模塊化IP,為客戶設計生產高度定制化靈活的產品,同時具有可編程可配置特性,并提供豐富的軟件及IP資源。Larry強調,Active-Semi擁有眾多知識產權。

談及Active-Semi的獨到之處,Larry強調了Active-Semi在模擬和數(shù)字領域的結合,這也是公司順利開辟全新市場的重要原因。

源極底置,標準門極布局的封裝是基于當前的PQFN 3.3x3.3 mm引腳分配布局。電氣連接的位置保持不變,方便將如今標準的漏極底置封裝簡單直接地替換成新的源極底置封裝。在門極居中的封裝中,門極引腳被移到中心位置以便于多個MOSFET并聯(lián)。由于漏-源極爬電距離增大,多個器件的門極可以連接到同一層PCB上。此外,將門極接口移到中心位置還能使源極面積增大,從而改進器件的電氣連接。

這一技術創(chuàng)新可使RDS(on)相比現(xiàn)有技術大幅減小,減幅最高達到30%。相比現(xiàn)有的PQFN封裝,結-殼熱阻(RthJC)也得到大幅改進。由于寄生效應降低,PCB損耗改進,以及熱性能優(yōu)異,新封裝概念可為任何當代的工程設計帶來巨大的附加價值。

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