128KB的一次性可編程區(qū)塊存儲器的性能
發(fā)布時間:2020/11/6 12:52:24 訪問次數(shù):2111
從機(jī)頂盒到手機(jī),凡是消費電子產(chǎn)品都要儲存大量的數(shù)據(jù),NAND閃存繼續(xù)成為半導(dǎo)體行業(yè)中最大的市場之一。發(fā)布的新產(chǎn)品為恒憶帶來突出的競爭優(yōu)勢,擴(kuò)展了領(lǐng)先的基于MLC(多級單元)、SLC(單級單元)技術(shù)的NAND閃存、以及Managed NAND閃存和NAND存儲卡,壯大了存儲子系統(tǒng)解決方案,包括多片封裝、軟件和固件單元。
先進(jìn)的41nm工藝的應(yīng)用到了客戶需要的產(chǎn)品解決方案和深受市場歡迎的各種容量的存儲器中,產(chǎn)品包括16Gb到32Gb的單片封裝和多片封裝的MLC產(chǎn)品, 2GB到32GB的eMMC Managed NAND產(chǎn)品,以及2GB到8GB的microSD移動存儲卡。恒憶還推出一款48nm SLC 1Gb NAND產(chǎn)品,為嵌入式和無線應(yīng)用客戶提供性能更優(yōu)、更安全、使用壽命更長的存儲解決方案。
制造商: Texas Instruments
產(chǎn)品種類: 高速運算放大器
RoHS: 詳細(xì)信息
系列: OPA847
通道數(shù)量: 1 Channel
GBP-增益帶寬產(chǎn)品: 3.9 GHz
SR - 轉(zhuǎn)換速率 : 950 V/us
電壓增益 dB: 98 dB
CMRR - 共模抑制比: 95 dB to 110 dB
Ib - 輸入偏流: 39 uA
Vos - 輸入偏置電壓 : 0.5 mV
工作電源電流: 18.1 mA
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-6
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
特點: Decompensated
高度: 1.15 mm
長度: 2.9 mm
產(chǎn)品: Operational Amplifiers
寬度: 1.6 mm
商標(biāo): Texas Instruments
en - 輸入電壓噪聲密度: 0.85 nV/sqrt Hz
濕度敏感性: Yes
工作電源電壓: 12 V
產(chǎn)品類型: Op Amps - High Speed Operational Amplifiers
PSRR - 電源抑制比: 95 dB
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: Amplifier ICs
單位重量: 36 mg

為了幫助用戶防止數(shù)據(jù)被惡意篡改,預(yù)防應(yīng)用程序被意外修改,恒憶48nm 1Gb SLC NAND增加一個128 KB的一次性可編程(OTP)區(qū)塊,確保存放在這個位置的數(shù)據(jù)不會被修改或破壞。恒憶的1 Gb SLC NAND還大幅度提高了存儲器的性能,把數(shù)據(jù)讀取速度提高了一倍,從原來的每秒13MB提到現(xiàn)在的每秒26MB;48nm工藝,恒憶1 GbSLC NAND程序運行速度是90nm產(chǎn)品的4倍,擦除操作是90nm產(chǎn)品的8倍,使產(chǎn)品的性能更強(qiáng),用戶的使用體驗更好。
為了延長存儲器的使用壽命,恒憶1 Gb SLC NAND提供了標(biāo)準(zhǔn)的每528字節(jié)地址空間1位ECC的選項,需要1位EEC校驗功能的應(yīng)用無需升級軟件或修改硬件,就能輕松升級到1位ECC校驗。 恒憶48nm 1Gb NAND產(chǎn)品采用300mm技術(shù)生產(chǎn),為客戶提供穩(wěn)定供貨。
從機(jī)頂盒到手機(jī),凡是消費電子產(chǎn)品都要儲存大量的數(shù)據(jù),NAND閃存繼續(xù)成為半導(dǎo)體行業(yè)中最大的市場之一。發(fā)布的新產(chǎn)品為恒憶帶來突出的競爭優(yōu)勢,擴(kuò)展了領(lǐng)先的基于MLC(多級單元)、SLC(單級單元)技術(shù)的NAND閃存、以及Managed NAND閃存和NAND存儲卡,壯大了存儲子系統(tǒng)解決方案,包括多片封裝、軟件和固件單元。
先進(jìn)的41nm工藝的應(yīng)用到了客戶需要的產(chǎn)品解決方案和深受市場歡迎的各種容量的存儲器中,產(chǎn)品包括16Gb到32Gb的單片封裝和多片封裝的MLC產(chǎn)品, 2GB到32GB的eMMC Managed NAND產(chǎn)品,以及2GB到8GB的microSD移動存儲卡。恒憶還推出一款48nm SLC 1Gb NAND產(chǎn)品,為嵌入式和無線應(yīng)用客戶提供性能更優(yōu)、更安全、使用壽命更長的存儲解決方案。
制造商: Texas Instruments
產(chǎn)品種類: 高速運算放大器
RoHS: 詳細(xì)信息
系列: OPA847
通道數(shù)量: 1 Channel
GBP-增益帶寬產(chǎn)品: 3.9 GHz
SR - 轉(zhuǎn)換速率 : 950 V/us
電壓增益 dB: 98 dB
CMRR - 共模抑制比: 95 dB to 110 dB
Ib - 輸入偏流: 39 uA
Vos - 輸入偏置電壓 : 0.5 mV
工作電源電流: 18.1 mA
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-6
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
特點: Decompensated
高度: 1.15 mm
長度: 2.9 mm
產(chǎn)品: Operational Amplifiers
寬度: 1.6 mm
商標(biāo): Texas Instruments
en - 輸入電壓噪聲密度: 0.85 nV/sqrt Hz
濕度敏感性: Yes
工作電源電壓: 12 V
產(chǎn)品類型: Op Amps - High Speed Operational Amplifiers
PSRR - 電源抑制比: 95 dB
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: Amplifier ICs
單位重量: 36 mg

為了幫助用戶防止數(shù)據(jù)被惡意篡改,預(yù)防應(yīng)用程序被意外修改,恒憶48nm 1Gb SLC NAND增加一個128 KB的一次性可編程(OTP)區(qū)塊,確保存放在這個位置的數(shù)據(jù)不會被修改或破壞。恒憶的1 Gb SLC NAND還大幅度提高了存儲器的性能,把數(shù)據(jù)讀取速度提高了一倍,從原來的每秒13MB提到現(xiàn)在的每秒26MB;48nm工藝,恒憶1 GbSLC NAND程序運行速度是90nm產(chǎn)品的4倍,擦除操作是90nm產(chǎn)品的8倍,使產(chǎn)品的性能更強(qiáng),用戶的使用體驗更好。
為了延長存儲器的使用壽命,恒憶1 Gb SLC NAND提供了標(biāo)準(zhǔn)的每528字節(jié)地址空間1位ECC的選項,需要1位EEC校驗功能的應(yīng)用無需升級軟件或修改硬件,就能輕松升級到1位ECC校驗。 恒憶48nm 1Gb NAND產(chǎn)品采用300mm技術(shù)生產(chǎn),為客戶提供穩(wěn)定供貨。
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