第二代SiC功率MosFET，具有單位面積極低的導(dǎo)通電阻（RDSon）和優(yōu)良的開關(guān)性能，開關(guān)損耗在結(jié)溫范圍內(nèi)幾乎沒有變化。

ST提供廣泛的第二代S MOSFET：額定擊穿電壓值從SCTxN65G2的650V到SCTxN120G2的1200V，并延伸到1700V。

ST的實驗室測試比較了第二代650V SCTH35N65G2V-7 SiC MosFET與硅IGBT的開關(guān)損耗。SiC MosFET具有更低的開關(guān)損耗，即使在高溫下也是如此。

這使得轉(zhuǎn)換器或逆變器能夠在非常高的開關(guān)頻率下工作，從而減小其無源元件的尺寸。當溫度超過175°C時，溫度變化幅度很小，電阻也隨著溫度的升高而變化很小。

SiC MosFET特性

工作結(jié)溫高達200°C

極低的開關(guān)損耗

無體二極管的恢復(fù)損耗

高溫功率損耗較少

易于驅(qū)動

SiC MosFET應(yīng)用

牽引電動機

充電站

太陽能逆變器

工廠自動化

電動機驅(qū)動

數(shù)據(jù)中心電源

工業(yè)電池充電器

不間斷電源

ST第二代SiC功率MosFET標準化通態(tài)電阻與溫度的關(guān)系

ST提供了完整的參考設(shè)計解決方案，三相交流-直流和直流-交流應(yīng)用的基礎(chǔ)上，優(yōu)化了功率轉(zhuǎn)換的數(shù)字平臺。基于ST第二代SiC MOSFET支持100kHz開關(guān)，有助于減少相關(guān)無源元件的尺寸和重量，實現(xiàn)99%的轉(zhuǎn)換效率。

金屬箔貼片 (MFC) 電阻器。MFC系列使用陶瓷上貼金屬箔技術(shù)，該技術(shù)結(jié)合了陶瓷基板的散熱特性和金屬合金體電阻元件的耐浪涌特性。由此提供了比厚膜或金體電阻更低的自熱水平，比厚膜提供了更好的耐浪涌特性，這使得該電阻較好的適合于汽車、工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用。