指針向右擺動(dòng)幅度的大小可估測(cè)出電解電容的容量
發(fā)布時(shí)間:2021/1/18 12:43:44 訪問次數(shù):804
程序讀取數(shù)據(jù)的速度要不慢于設(shè)備往緩沖區(qū)中存放數(shù)據(jù)的速度，這樣才能保證連續(xù)運(yùn)行時(shí)，緩沖區(qū)中的數(shù)據(jù)不會(huì)溢出�？梢酝ㄟ^調(diào)節(jié)以下3個(gè)參數(shù)來達(dá)到上述要求：
buffer size（緩存的大�。�
scan rate（采樣速率）
number of scans to read at a time（每次讀取的樣本數(shù)）
LabVIEW 中的模擬輸入
連續(xù)模擬輸入
制造商:Microchip產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS:N技術(shù):Si安裝風(fēng)格:Through Hole封裝 / 箱體:TO-254AA-3商標(biāo):Microchip / Microsemi產(chǎn)品類型:MOSFET100子類別:MOSFETs單位重量:300 mg
高度:1.4 mm長度:7 mm程序存儲(chǔ)器類型:Flash寬度:7 mm商標(biāo):STMicroelectronics數(shù)據(jù) Ram 類型:RAM數(shù)據(jù) ROM 大小:1024 B數(shù)據(jù) Rom 類型:EEPROM接口類型:I2C, SPI, UART
C 對(duì)于正、負(fù)極標(biāo)志不明的電解電容器，可利用上述測(cè)量漏電阻的方法加以判別。即先任意測(cè)一下漏電阻，記住其大小，然后交換表筆再測(cè)出一個(gè)阻值。
D 使用萬用表電阻擋，采用給電解電容進(jìn)行正、反向充電的方法，根據(jù)指針向右擺動(dòng)幅度的大小，可估測(cè)出電解電容的容量。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）
程序讀取數(shù)據(jù)的速度要不慢于設(shè)備往緩沖區(qū)中存放數(shù)據(jù)的速度，這樣才能保證連續(xù)運(yùn)行時(shí)，緩沖區(qū)中的數(shù)據(jù)不會(huì)溢出。可以通過調(diào)節(jié)以下3個(gè)參數(shù)來達(dá)到上述要求：
buffer size（緩存的大�。�
scan rate（采樣速率）
number of scans to read at a time（每次讀取的樣本數(shù)）
LabVIEW 中的模擬輸入
連續(xù)模擬輸入
制造商:Microchip產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS:N技術(shù):Si安裝風(fēng)格:Through Hole封裝 / 箱體:TO-254AA-3商標(biāo):Microchip / Microsemi產(chǎn)品類型:MOSFET100子類別:MOSFETs單位重量:300 mg
高度:1.4 mm長度:7 mm程序存儲(chǔ)器類型:Flash寬度:7 mm商標(biāo):STMicroelectronics數(shù)據(jù) Ram 類型:RAM數(shù)據(jù) ROM 大小:1024 B數(shù)據(jù) Rom 類型:EEPROM接口類型:I2C, SPI, UART
C 對(duì)于正、負(fù)極標(biāo)志不明的電解電容器，可利用上述測(cè)量漏電阻的方法加以判別。即先任意測(cè)一下漏電阻，記住其大小，然后交換表筆再測(cè)出一個(gè)阻值。
D 使用萬用表電阻擋，采用給電解電容進(jìn)行正、反向充電的方法，根據(jù)指針向右擺動(dòng)幅度的大小，可估測(cè)出電解電容的容量。
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