256Mb NOR型閃存uPD29F256115 和uPD29F256415，它采用多級(jí)單元(MLC)技術(shù)提供更低成本的存儲(chǔ)器產(chǎn)品，以適合用于需要增加功能的移動(dòng)應(yīng)用。

采用MLC技術(shù)，NEC宣稱已能增加存儲(chǔ)器容量，而存儲(chǔ)器單元的尺寸卻減小一半。每個(gè)芯片有更多的存儲(chǔ)，設(shè)計(jì)者由于在每個(gè)設(shè)計(jì)中采用較少的芯片而維持低成本。

基于MLC技術(shù)的閃存速度比非MLC器件慢。為解決這個(gè)問(wèn)題，NEC公司采用讀電路設(shè)計(jì)，以允許NOR型閃存在讀周期中以更快的讀取速度來(lái)運(yùn)行。

制造商:Vishay 產(chǎn)品種類:穩(wěn)壓二極管 Vz - 齊納電壓:200 V 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-219AB-2 Pd-功率耗散:800 mW 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.13 %/C 齊納電流:5 uA Zz - 齊納阻抗:500 Ohms 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 175 C 配置:Single 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 系列: 高度:1.08 mm 長(zhǎng)度:2.9 mm 端接類型:SMD/SMT 寬度:1.9 mm 商標(biāo):Vishay Semiconductors Ir - 反向電流 :5 uA 產(chǎn)品類型:Zener Diodes 3000 子類別:Diodes & Rectifiers 商標(biāo)名: Vf - 正向電壓:1.2 V 單位重量:150 mg

這就使該公司能開(kāi)發(fā)出低成本高容量模塊，達(dá)到非MLC產(chǎn)品同樣的讀取速度。

NEC公司采用0.15微米技術(shù)來(lái)提供有256Mb容量的NOR型閃存，其讀取速度為85ns，頁(yè)讀取速度為25ns。

uD29F256115采用32位數(shù)據(jù)總線，進(jìn)一步優(yōu)化在移動(dòng)應(yīng)用方面的性能。

器件可以是精細(xì)間隔的FBGA封裝和堆棧式多片封裝(S-MCP)，它結(jié)合了閃存和移動(dòng)專用的RAM或靜態(tài)RAM。