VTT-LDO 為 2A 灌/拉電流跟蹤系統(tǒng)終端調(diào)節(jié)器。它專門設(shè)計(jì)用于低成本/少量外部元器件的系統(tǒng)，這些系統(tǒng)對(duì)空間利用率要求很高。

并聯(lián)連接兩個(gè)10μF陶瓷電容器，以最大程度地減小ESR和ESL的影響。如果ESR大于10mΩ，則在輸出和VTTSEN輸入之間插入一個(gè)R-C濾波器，以實(shí)現(xiàn)環(huán)路穩(wěn)定性。R-C濾波器的時(shí)間常數(shù)應(yīng)幾乎等于或略低于輸出電容器及其ESR的時(shí)間常數(shù)。

由于MPQ20073是線性穩(wěn)壓器，因此VTT電流在源極和吸收極兩個(gè)方向上的流動(dòng)都會(huì)產(chǎn)生器件的功耗。

產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:75 V Id-連續(xù)漏極電流:140 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:7 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V Qg-柵極電荷:150 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:330 W 通道模式:Enhancement 封裝:Tube 配置:Single 高度:15.65 mm 長(zhǎng)度:10 mm 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:4.4 mm 商標(biāo):Infineon / IR 產(chǎn)品類型:MOSFET 工廠包裝數(shù)量:1000 子類別:MOSFETs 單位重量:6 g

高精度電源轉(zhuǎn)換、測(cè)量和控制系統(tǒng)等解決方案，這方面的技術(shù)更一直領(lǐng)先全球。該公司推出一款全新的 Paramount HP 10013 射頻電源。新產(chǎn)品推出之后，該公司旗艦產(chǎn)品 Paramount RF (射頻) 電源系列將會(huì)有更多型號(hào)可供選擇。

Advanced Energy 的等離子工藝設(shè)備電源系統(tǒng)適用于半導(dǎo)體蝕刻、介電質(zhì)蝕刻、沉積、濺鍍、離子植入等半導(dǎo)體和等離子薄膜工藝設(shè)備，Paramount HP 10013 沿用這種在市場(chǎng)一直居領(lǐng)導(dǎo)地位的等離子工藝電源技術(shù)，但性能則有進(jìn)一步的提升.

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