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76GHz發(fā)送MMIC優(yōu)化晶體管單元結(jié)構(gòu)和功率匹配電路

發(fā)布時(shí)間:2021/1/24 21:25:23 訪問(wèn)次數(shù):237

高度管線的,最適合于FPGA或ASIC。Xilinx, Altera等公司的最新一代FPGA器件允許非常復(fù)雜的DSP結(jié)構(gòu)如TPFT能在單片中等規(guī)模的FPGA上實(shí)現(xiàn)。更進(jìn)一步,采用系統(tǒng)級(jí)(SoC)功能器件如Xilinx的Virtex-II PRO,整個(gè)系統(tǒng)即濾波器組和控制,能在單獨(dú)的平臺(tái)上實(shí)現(xiàn)。

兩種產(chǎn)品的封裝為10x10mm 64引腳的塑料四方扁平封裝。

新的汽車?yán)走_(dá)芯片組是基于GaAs-pHEMT MMIC技術(shù),該技術(shù)是Mitsubishi電子公司用來(lái)開(kāi)發(fā)衛(wèi)星,國(guó)防和商業(yè)應(yīng)用的技術(shù)。

制造商:Vishay 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:P-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:150 V Id-連續(xù)漏極電流:690 mA Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.2 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2.5 V Qg-柵極電荷:12 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.25 W 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名: 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 系列: 晶體管類型:1 P-Channel 商標(biāo):Vishay Semiconductors 正向跨導(dǎo) - 最小值:2.2 S 下降時(shí)間:11 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:11 ns 3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:16 ns 典型接通延遲時(shí)間:7 ns 零件號(hào)別名:SI2325DS-E3 單位重量:8 mg

整套芯片組包括有單通道,三通道天線開(kāi)關(guān)MMIC,覆蓋19.38GHz和76GHz頻率范圍的五種發(fā)送MMIC和兩個(gè)接收MMIC。

新開(kāi)發(fā)的毫米波開(kāi)關(guān)晶體管有比二極管開(kāi)關(guān)更好的絕緣性能,因?yàn)榭蛇_(dá)到更高的開(kāi)/關(guān)比。也能實(shí)現(xiàn)小的插入損耗。由于它是電壓操作的,晶體管開(kāi)關(guān)有非常低的功耗。

76GHz發(fā)送MMIC通過(guò)優(yōu)化晶體管單元結(jié)構(gòu)和功率匹配電路,能產(chǎn)生30mW的輸出功率,比通常所達(dá)到的大1.5倍。


(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)


高度管線的,最適合于FPGA或ASIC。Xilinx, Altera等公司的最新一代FPGA器件允許非常復(fù)雜的DSP結(jié)構(gòu)如TPFT能在單片中等規(guī)模的FPGA上實(shí)現(xiàn)。更進(jìn)一步,采用系統(tǒng)級(jí)(SoC)功能器件如Xilinx的Virtex-II PRO,整個(gè)系統(tǒng)即濾波器組和控制,能在單獨(dú)的平臺(tái)上實(shí)現(xiàn)。

兩種產(chǎn)品的封裝為10x10mm 64引腳的塑料四方扁平封裝。

新的汽車?yán)走_(dá)芯片組是基于GaAs-pHEMT MMIC技術(shù),該技術(shù)是Mitsubishi電子公司用來(lái)開(kāi)發(fā)衛(wèi)星,國(guó)防和商業(yè)應(yīng)用的技術(shù)。

制造商:Vishay 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:P-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:150 V Id-連續(xù)漏極電流:690 mA Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.2 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2.5 V Qg-柵極電荷:12 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.25 W 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名: 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 系列: 晶體管類型:1 P-Channel 商標(biāo):Vishay Semiconductors 正向跨導(dǎo) - 最小值:2.2 S 下降時(shí)間:11 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:11 ns 3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:16 ns 典型接通延遲時(shí)間:7 ns 零件號(hào)別名:SI2325DS-E3 單位重量:8 mg

整套芯片組包括有單通道,三通道天線開(kāi)關(guān)MMIC,覆蓋19.38GHz和76GHz頻率范圍的五種發(fā)送MMIC和兩個(gè)接收MMIC。

新開(kāi)發(fā)的毫米波開(kāi)關(guān)晶體管有比二極管開(kāi)關(guān)更好的絕緣性能,因?yàn)榭蛇_(dá)到更高的開(kāi)/關(guān)比。也能實(shí)現(xiàn)小的插入損耗。由于它是電壓操作的,晶體管開(kāi)關(guān)有非常低的功耗。

76GHz發(fā)送MMIC通過(guò)優(yōu)化晶體管單元結(jié)構(gòu)和功率匹配電路,能產(chǎn)生30mW的輸出功率,比通常所達(dá)到的大1.5倍。


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