所測量的電路表明，其性能和其它供應(yīng)商的同類產(chǎn)品相比，提高10-30%的工作頻率，使其能應(yīng)用在高頻產(chǎn)品和高速通信系統(tǒng)。

從這種技術(shù)受益的將是高速分立元件(晶體管和二極管)，40Gbps低功耗有線通信系統(tǒng)，高速微波無線鏈路，高達60GHz的超寬帶通信系統(tǒng)和77GHz汽車雷達系統(tǒng)。

Infineon公司根據(jù)它的SiGe:C雙極工藝，設(shè)計了幾種用于高速通信的主要功能塊，它的截止頻率大于200GHz，所演示的振蕩器門延遲時間為3.7ps。

http://zpfykj.51dzw.com深圳市展鵬富裕科技有限公司

制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:IGBT 晶體管 RoHS: 詳細信息 技術(shù):Si 封裝 / 箱體:TO-247-3 安裝風(fēng)格:Through Hole 配置:Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.6 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:80 A Pd-功率耗散:319.2 W 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 175 C 系列:Trenchstop IGBT3 封裝:Tube 商標(biāo):Infineon Technologies 柵極—射極漏泄電流:100 nA 產(chǎn)品類型:IGBT Transistors 工廠包裝數(shù)量:240 子類別:IGBTs 商標(biāo)名:TRENCHSTOP 零件號別名:IKW50N60DTP SP001379678 單位重量:6.065 g

高性能電路的測試也表明，很平穩(wěn)的晶體管參數(shù)能用在模擬和數(shù)字應(yīng)用，有很低的噪音。采用這種技術(shù)，研究人員演示了幾種破記錄的IC：110GHz+動態(tài)頻率分頻器，86GHz靜態(tài)頻率分頻器和95GHz壓控振蕩器(VCO)以及77GHz汽車雷達收發(fā)器。

SiGe雙極工藝很適合各種高速模擬和數(shù)字方面的應(yīng)用，如Gbps數(shù)據(jù)通信和寬帶無線應(yīng)用或微波產(chǎn)品。動態(tài)頻率分頻器的分頻比例為2，最大輸入頻率為110GHz。

該電路的工作電壓為5V，消耗電流62mA。