系統(tǒng)封裝芯片250V三相控制器,嵌入了ARM® 32位 Cortex®-M0 CPU和250V三相半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠驅(qū)動(dòng)N溝功率MOSFET或IGBT.

器件還集成了具有先進(jìn)smartSD功能的比較器,從而保證快速和有效的對(duì)過(guò)載和過(guò)流的保護(hù).

器件還集成了高壓自舉二極管,以及抗交叉導(dǎo)通,死區(qū)和低和高驅(qū)動(dòng)部分的UVLO保護(hù),從而避免了功率開(kāi)關(guān)工作在低效率或危險(xiǎn)條件.

主要用在電池供電和110Vac電源和花園工具,工業(yè)風(fēng)扇和泵,家用電器以及工業(yè)和家庭自動(dòng)化.

制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TO-252-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:500 V Id-連續(xù)漏極電流:5.6 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.2 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 30 V, + 30 V 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:90 W 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名: 配置:Single 高度:2.4 mm 長(zhǎng)度:6.6 mm 系列: 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:6.2 mm 商標(biāo):STMicroelectronics 下降時(shí)間:23 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:23.5 ns 2500 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:31 ns 典型接通延遲時(shí)間:12 ns 單位重量:4 g

器件滿足AECQ-100 Grade 1溫度范圍-40C 到 125C,65V工作電壓,具有超低功耗:待機(jī)模式為2A,關(guān)斷模式為2μA.具有單獨(dú)可配置的安全如過(guò)壓,欠溫和欠壓,超溫以及一個(gè)電池不匹配告警.

主要用在高壓電池堆棧,電動(dòng)汽車(EV),混合電動(dòng)汽車(HEV),電動(dòng)自行車,電池備份系統(tǒng)(UPS或ESS),超級(jí)電容系統(tǒng)和電池電動(dòng)工具.

集成的ARM MCU允許進(jìn)行FOC,6步無(wú)傳感器和其它先進(jìn)的算法,包括速度控制回路.柵極驅(qū)動(dòng)電壓從9V到20V, ARM® 32位 Cortex®-M0 CPU工作頻率高達(dá)48MHz,工作溫度-40 到 +125 C.

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