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Melexis集磁點(diǎn)U形屏蔽罩非接觸方式精確測(cè)量母線(xiàn)電流

發(fā)布時(shí)間:2021/1/29 18:16:56 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):678

采用 SOIC8 表面貼裝器件,包含 Melexis 專(zhuān)利的集磁點(diǎn) (IMC),與簡(jiǎn)易的U形屏蔽罩搭配使用即可以非接觸方式精確測(cè)量母線(xiàn)電流。

當(dāng)安裝在 PCB 上時(shí),這款傳感器芯片可置于母線(xiàn)上方并外加一層屏蔽罩,與傳統(tǒng)的霍爾傳感器相比更容易裝配。

成熟的 IMC-Hall 技術(shù)與無(wú)磁芯解決方案的不同之處在于,它在機(jī)械方面更具寬容性,其測(cè)量并非基于磁場(chǎng)梯度,而磁場(chǎng)梯度是母線(xiàn)劇烈削窄的結(jié)果并產(chǎn)生明顯熱點(diǎn)。

制造商:Infineon 產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:P-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:12 V Id-連續(xù)漏極電流:4.3 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:50 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 8 V, + 8 V Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V Qg-柵極電荷:15 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.3 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1.1 mm 長(zhǎng)度:2.9 mm 晶體管類(lèi)型:1 P-Channel 寬度:1.3 mm 商標(biāo):Infineon Technologies 產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET 3000 子類(lèi)別:MOSFETs 單位重量:1.400 g


CPC1561B的典型市場(chǎng)和應(yīng)用包括:

智能家居建筑自動(dòng)化 游戲 儀器 電池供電系統(tǒng),CPC1561B非常適合因過(guò)流、過(guò)熱和電應(yīng)力而不能長(zhǎng)時(shí)間停機(jī)的市場(chǎng)和應(yīng)用。

CPC1561B輸出繼電器可以適應(yīng)惡劣的條件,一旦故障消除,就能恢復(fù)正常運(yùn)行,從而縮短了產(chǎn)品停機(jī)時(shí)間,而且由于SSR既可以自我保護(hù),又可以復(fù)位以恢復(fù)正常運(yùn)行,因此無(wú)需撥打電話(huà)報(bào)修。

CPC1561B可提供卷帶封裝。


(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

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當(dāng)安裝在 PCB 上時(shí),這款傳感器芯片可置于母線(xiàn)上方并外加一層屏蔽罩,與傳統(tǒng)的霍爾傳感器相比更容易裝配。

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制造商:Infineon 產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:P-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:12 V Id-連續(xù)漏極電流:4.3 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:50 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 8 V, + 8 V Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V Qg-柵極電荷:15 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.3 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1.1 mm 長(zhǎng)度:2.9 mm 晶體管類(lèi)型:1 P-Channel 寬度:1.3 mm 商標(biāo):Infineon Technologies 產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET 3000 子類(lèi)別:MOSFETs 單位重量:1.400 g


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