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傳統(tǒng)的封閉式硅方法與昂貴的O-RAN之間的差異

發(fā)布時(shí)間:2021/1/30 14:35:10 訪問次數(shù):204

實(shí)施自己的OpenRAN解決方案,該解決方案通常在硬件上實(shí)現(xiàn)較少的功能,而在Linux等傳統(tǒng)操作系統(tǒng)上運(yùn)行的軟件則實(shí)現(xiàn)更多的功能。但是正確地實(shí)現(xiàn)這樣的O-RAN需要非常深的協(xié)議專業(yè)知識(shí)才能正確使用,并且一旦完成,維護(hù)起來往往非常耗電并且昂貴。

EdgeQ的方法是有效地劃分傳統(tǒng)的封閉式硅方法與昂貴的O-RAN之間的差異。 EdgeQ獲得了RISC-V CPU參考設(shè)計(jì)的許可,并增加了新的硬件指令,以加速處理4G和5G通信及信號(hào)處理所需的計(jì)算量大的矢量數(shù)學(xué)運(yùn)算。

制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:馬達(dá)/運(yùn)動(dòng)/點(diǎn)火控制器和驅(qū)動(dòng)器 RoHS: 詳細(xì)信息 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:MDIP-24 封裝:Tube 高度:5.1 mm 長(zhǎng)度:36 mm 系列:CIPOS Mini 寬度:21 mm 商標(biāo):Infineon Technologies 產(chǎn)品類型:Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers 工廠包裝數(shù)量:280 子類別:PMIC - Power Management ICs 商標(biāo)名:CIPOS 零件號(hào)別名:IKCM15L60GD SP001370928 單位重量:6.750 g

為確保MOSFET SR1和MOSFET SR2的柵極電壓不超過其最大額定電壓,最大輸入電壓不能過高。

在所有帶同步整流的電源中,電路中可能會(huì)產(chǎn)生負(fù)電流。若電路輸出端電容在電路通電之前便已預(yù)充電,則電流可能會(huì)從輸出側(cè)流向輸入側(cè)。

負(fù)電流可能會(huì)提高M(jìn)OSFET SR1和MOSFET SR2的電壓,致使其受損。務(wù)必小心保護(hù)開關(guān),避免受此類事件影響。帶專用驅(qū)動(dòng)器IC的正激轉(zhuǎn)換器的同步整流。

一種利用LTC3900實(shí)現(xiàn)同步整流的方法。此控制器驅(qū)動(dòng)正激拓?fù)渲械耐秸鏖_關(guān)SR1和SR2。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)


實(shí)施自己的OpenRAN解決方案,該解決方案通常在硬件上實(shí)現(xiàn)較少的功能,而在Linux等傳統(tǒng)操作系統(tǒng)上運(yùn)行的軟件則實(shí)現(xiàn)更多的功能。但是正確地實(shí)現(xiàn)這樣的O-RAN需要非常深的協(xié)議專業(yè)知識(shí)才能正確使用,并且一旦完成,維護(hù)起來往往非常耗電并且昂貴。

EdgeQ的方法是有效地劃分傳統(tǒng)的封閉式硅方法與昂貴的O-RAN之間的差異。 EdgeQ獲得了RISC-V CPU參考設(shè)計(jì)的許可,并增加了新的硬件指令,以加速處理4G和5G通信及信號(hào)處理所需的計(jì)算量大的矢量數(shù)學(xué)運(yùn)算。

制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:馬達(dá)/運(yùn)動(dòng)/點(diǎn)火控制器和驅(qū)動(dòng)器 RoHS: 詳細(xì)信息 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:MDIP-24 封裝:Tube 高度:5.1 mm 長(zhǎng)度:36 mm 系列:CIPOS Mini 寬度:21 mm 商標(biāo):Infineon Technologies 產(chǎn)品類型:Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers 工廠包裝數(shù)量:280 子類別:PMIC - Power Management ICs 商標(biāo)名:CIPOS 零件號(hào)別名:IKCM15L60GD SP001370928 單位重量:6.750 g

為確保MOSFET SR1和MOSFET SR2的柵極電壓不超過其最大額定電壓,最大輸入電壓不能過高。

在所有帶同步整流的電源中,電路中可能會(huì)產(chǎn)生負(fù)電流。若電路輸出端電容在電路通電之前便已預(yù)充電,則電流可能會(huì)從輸出側(cè)流向輸入側(cè)。

負(fù)電流可能會(huì)提高M(jìn)OSFET SR1和MOSFET SR2的電壓,致使其受損。務(wù)必小心保護(hù)開關(guān),避免受此類事件影響。帶專用驅(qū)動(dòng)器IC的正激轉(zhuǎn)換器的同步整流。

一種利用LTC3900實(shí)現(xiàn)同步整流的方法。此控制器驅(qū)動(dòng)正激拓?fù)渲械耐秸鏖_關(guān)SR1和SR2。


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