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Sun Fireplane的系統(tǒng)接口單元Vishay低漏電流的硅技術(shù)

發(fā)布時(shí)間:2021/2/1 20:16:34 訪問次數(shù):201

UltraSPARC IV處理器共享接口包括有支持高達(dá)16GB DRAM的片內(nèi)存儲(chǔ)器控制器和提供接入到Sun Fireplane的系統(tǒng)接口單元,使之互相連接.

采用TI公司的130nm工藝,最初的處理器工作在1200MHz的頻率,以后會(huì)更高. UltraSPARC IV設(shè)計(jì)上的性能改進(jìn),使目前的1200MHz UltraSPARC III處理器商業(yè)應(yīng)用的吞吐量擴(kuò)展范圍從1.6到2倍.

用戶的性能會(huì)隨系統(tǒng)配置和工作量而改變.將來的UltraSPARC IV處理器將會(huì)用TI公司的90nm技術(shù)來制造,增進(jìn)了結(jié)構(gòu),增加了時(shí)鐘速度,使吞吐量增加到UltraSPARC III處理器的3-4倍.

制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SO-8 通道數(shù)量:2 Channel 電源電壓-最大:36 V GBP-增益帶寬產(chǎn)品:4 MHz 每個(gè)通道的輸出電流:40 mA SR - 轉(zhuǎn)換速率 :16 V/us Vos - 輸入偏置電壓 :1 mV 電源電壓-最小:6 V 最小工作溫度:0 C 最大工作溫度:+ 70 C Ib - 輸入偏流:20 pA 工作電源電流:1.4 mA 關(guān)閉:No Shutdown CMRR - 共模抑制比:86 dB en - 輸入電壓噪聲密度:15 nV/sqrt Hz 系列: 資格:AEC-Q100 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 放大器類型:General Purpose Amplifier 高度:1.75 mm 輸入類型:Differential 長度:4.9 mm 輸出類型:- 產(chǎn)品:Operational Amplifiers 寬度:3.9 mm 商標(biāo):STMicroelectronics THD + 噪聲:0.01 % 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu):Dual 3dB帶寬:- 增益V/V:200 V/mV Ios - 輸入偏置電流 :5 pA 產(chǎn)品類型:Op Amps - Operational Amplifiers PSRR - 電源抑制比:86 dB 2500 子類別:Amplifier ICs Vcm - 共模電壓:- 12 V to 15 V 單位重量:506.600 mg

SMF (DO219-AB)封裝也能用來替代更長占位面積的器件如SMA和M1F,空間節(jié)省多達(dá)40%.

Vishay的專利折疊框技術(shù)提供大功率容量和低的正向壓降,保證了最佳的功率效率以及優(yōu)異的浪涌電流能力.在這種新封裝的設(shè)計(jì)中也包括了Vishay低漏電流的硅技術(shù),節(jié)省了能耗.

SMF (DO219-AB)封裝是無鉛的,因此也增強(qiáng)了環(huán)保性能.它能在260 °C回流焊, 濕度靈敏性L1級(jí),向下兼容現(xiàn)有的回流焊工藝.

現(xiàn)在可批量提供SMF (DO219-AB)封裝的二極管.


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

UltraSPARC IV處理器共享接口包括有支持高達(dá)16GB DRAM的片內(nèi)存儲(chǔ)器控制器和提供接入到Sun Fireplane的系統(tǒng)接口單元,使之互相連接.

采用TI公司的130nm工藝,最初的處理器工作在1200MHz的頻率,以后會(huì)更高. UltraSPARC IV設(shè)計(jì)上的性能改進(jìn),使目前的1200MHz UltraSPARC III處理器商業(yè)應(yīng)用的吞吐量擴(kuò)展范圍從1.6到2倍.

用戶的性能會(huì)隨系統(tǒng)配置和工作量而改變.將來的UltraSPARC IV處理器將會(huì)用TI公司的90nm技術(shù)來制造,增進(jìn)了結(jié)構(gòu),增加了時(shí)鐘速度,使吞吐量增加到UltraSPARC III處理器的3-4倍.

制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SO-8 通道數(shù)量:2 Channel 電源電壓-最大:36 V GBP-增益帶寬產(chǎn)品:4 MHz 每個(gè)通道的輸出電流:40 mA SR - 轉(zhuǎn)換速率 :16 V/us Vos - 輸入偏置電壓 :1 mV 電源電壓-最小:6 V 最小工作溫度:0 C 最大工作溫度:+ 70 C Ib - 輸入偏流:20 pA 工作電源電流:1.4 mA 關(guān)閉:No Shutdown CMRR - 共模抑制比:86 dB en - 輸入電壓噪聲密度:15 nV/sqrt Hz 系列: 資格:AEC-Q100 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 放大器類型:General Purpose Amplifier 高度:1.75 mm 輸入類型:Differential 長度:4.9 mm 輸出類型:- 產(chǎn)品:Operational Amplifiers 寬度:3.9 mm 商標(biāo):STMicroelectronics THD + 噪聲:0.01 % 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu):Dual 3dB帶寬:- 增益V/V:200 V/mV Ios - 輸入偏置電流 :5 pA 產(chǎn)品類型:Op Amps - Operational Amplifiers PSRR - 電源抑制比:86 dB 2500 子類別:Amplifier ICs Vcm - 共模電壓:- 12 V to 15 V 單位重量:506.600 mg

SMF (DO219-AB)封裝也能用來替代更長占位面積的器件如SMA和M1F,空間節(jié)省多達(dá)40%.

Vishay的專利折疊框技術(shù)提供大功率容量和低的正向壓降,保證了最佳的功率效率以及優(yōu)異的浪涌電流能力.在這種新封裝的設(shè)計(jì)中也包括了Vishay低漏電流的硅技術(shù),節(jié)省了能耗.

SMF (DO219-AB)封裝是無鉛的,因此也增強(qiáng)了環(huán)保性能.它能在260 °C回流焊, 濕度靈敏性L1級(jí),向下兼容現(xiàn)有的回流焊工藝.

現(xiàn)在可批量提供SMF (DO219-AB)封裝的二極管.


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