英特爾研制新型芯片,納米取代硅成主要部件
發(fā)布時(shí)間:2007/9/1 0:00:00 訪問次數(shù):454
幾名英特爾工程師在近日展示會(huì)上表示,芯片制造商們將會(huì)繼續(xù)按照摩爾定律繼續(xù)發(fā)展幾年,但是工程師將會(huì)大規(guī)模改進(jìn)其設(shè)計(jì)和產(chǎn)品的部件。其中最重大的改進(jìn)便是最終取代芯片的硅導(dǎo)體——這個(gè)構(gòu)造整個(gè)科技領(lǐng)域的基本部件。在2014年之前,碳納米管或硅納米線會(huì)取代硅成為芯片的主要構(gòu)成。到2020年之前,還會(huì)有更多激進(jìn)的改進(jìn)。
英特爾的技術(shù)主管Paolo Gargini說,“到2010年之前,我們應(yīng)該會(huì)對這個(gè)讓我們超越CMOS的裝置有一個(gè)更加清楚地認(rèn)識(shí)。”
CMOS(complementary metal oxide semiconductor,即輔助氧化金屬半導(dǎo)體)是硅導(dǎo)體的技術(shù)基礎(chǔ)。在對未來輪廓描述中,英特爾抓住了整個(gè)行業(yè)所共同面臨的挑戰(zhàn)。從60年代到2000年,包含越來越小導(dǎo)體的芯片的性能得到了巨大的提高。更小的導(dǎo)體極大的減少了電子行經(jīng)的距離,從而提升了其性能。因而,可以增加更多的導(dǎo)體以整合更多的功能。
而從2000年起,芯片設(shè)計(jì)師們就進(jìn)入了Gargini所說的“等同比例”(“equivalent scaling”)時(shí)代,芯片性能的提高一方面是通過縮小體積,但同時(shí)也要通過使用附加的科技。
碳納米管能在未來的芯片中會(huì)執(zhí)行很多功能。某種納米管可以取代硅,在導(dǎo)體中用來控制電子的流向。稍加改動(dòng)的納米管又可以取代連接各導(dǎo)體的銅導(dǎo)線。雖然都是由碳組成的,但納米管究竟是半導(dǎo)體或金屬的屬性會(huì)隨著原子機(jī)構(gòu)的改變而改變。
英特爾正在眾多知名高校中開展各個(gè)項(xiàng)目的實(shí)驗(yàn)。研制新型芯片的道路是不平坦的。從1997年起,政府資助的研究項(xiàng)目投資逐年增加,到2003年,已達(dá)到35億美元。
幾名英特爾工程師在近日展示會(huì)上表示,芯片制造商們將會(huì)繼續(xù)按照摩爾定律繼續(xù)發(fā)展幾年,但是工程師將會(huì)大規(guī)模改進(jìn)其設(shè)計(jì)和產(chǎn)品的部件。其中最重大的改進(jìn)便是最終取代芯片的硅導(dǎo)體——這個(gè)構(gòu)造整個(gè)科技領(lǐng)域的基本部件。在2014年之前,碳納米管或硅納米線會(huì)取代硅成為芯片的主要構(gòu)成。到2020年之前,還會(huì)有更多激進(jìn)的改進(jìn)。
英特爾的技術(shù)主管Paolo Gargini說,“到2010年之前,我們應(yīng)該會(huì)對這個(gè)讓我們超越CMOS的裝置有一個(gè)更加清楚地認(rèn)識(shí)!
CMOS(complementary metal oxide semiconductor,即輔助氧化金屬半導(dǎo)體)是硅導(dǎo)體的技術(shù)基礎(chǔ)。在對未來輪廓描述中,英特爾抓住了整個(gè)行業(yè)所共同面臨的挑戰(zhàn)。從60年代到2000年,包含越來越小導(dǎo)體的芯片的性能得到了巨大的提高。更小的導(dǎo)體極大的減少了電子行經(jīng)的距離,從而提升了其性能。因而,可以增加更多的導(dǎo)體以整合更多的功能。
而從2000年起,芯片設(shè)計(jì)師們就進(jìn)入了Gargini所說的“等同比例”(“equivalent scaling”)時(shí)代,芯片性能的提高一方面是通過縮小體積,但同時(shí)也要通過使用附加的科技。
碳納米管能在未來的芯片中會(huì)執(zhí)行很多功能。某種納米管可以取代硅,在導(dǎo)體中用來控制電子的流向。稍加改動(dòng)的納米管又可以取代連接各導(dǎo)體的銅導(dǎo)線。雖然都是由碳組成的,但納米管究竟是半導(dǎo)體或金屬的屬性會(huì)隨著原子機(jī)構(gòu)的改變而改變。
英特爾正在眾多知名高校中開展各個(gè)項(xiàng)目的實(shí)驗(yàn)。研制新型芯片的道路是不平坦的。從1997年起,政府資助的研究項(xiàng)目投資逐年增加,到2003年,已達(dá)到35億美元。
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