單極單擲常開或SPST-NO 7毫米長(zhǎng)玻璃外殼的全密封型A型
發(fā)布時(shí)間:2021/2/13 12:08:57 訪問(wèn)次數(shù):254
7毫米長(zhǎng)玻璃外殼的全密封型A型(單極單擲常開或SPST-NO)開關(guān)MITI-7系列超小型磁簧開關(guān)。MITI-7系列具有6 AT至20 AT的靈敏度范圍,范圍遠(yuǎn)大于同等尺寸的電磁開關(guān)(僅為6 AT至10 AT)。
新型自動(dòng)化組裝設(shè)備,Littelfuse得以提高這些小型開關(guān)的生產(chǎn)能力,從而幫助電路設(shè)計(jì)人員節(jié)省元件密集的電路板上的空間。
MITI-7超小型磁簧開關(guān)和MISM-7表面貼裝磁簧開關(guān).
工作電源電流:1.2 mA 關(guān)閉:No Shutdown CMRR - 共模抑制比:65 dB 系列:LM358 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 放大器類型:Low Power Amplifier 高度:1.5 mm 長(zhǎng)度:5 mm 產(chǎn)品:Operational Amplifiers 電源類型:Single, Dual 技術(shù):Bipolar 寬度:4 mm 商標(biāo):ON Semiconductor 雙重電源電壓:+/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V 最大雙重電源電壓:+/- 16 V 最小雙重電源電壓:+/- 1.5 V 工作電源電壓:3 V to 32 V, +/- 1.5 V to +/- 16 V 產(chǎn)品類型:Op Amps - Operational Amplifiers PSRR - 電源抑制比:65 dB
差分概念還提供了高水平的雜散場(chǎng)抗干擾能力,可支持更高密度的電力電子設(shè)備,因?yàn)閭鞲衅魇芨浇s散磁場(chǎng)的影響較小。
根據(jù) IEC/UL-62368,SOIC8 封裝的額定隔離水平為 2.4 kVrms,而 SOIC16 寬體封裝的額定隔離水平是其兩倍,達(dá)到 4.8 kV。SOIC16 封裝引腳數(shù)更多且導(dǎo)體厚度更大,因此還能提供更低的初級(jí)導(dǎo)體電阻。
LoRa Edge使客戶能夠進(jìn)一步管理總擁有成本(TCO),客戶僅在需要進(jìn)行資產(chǎn)定位時(shí)才付費(fèi)。
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新型自動(dòng)化組裝設(shè)備,Littelfuse得以提高這些小型開關(guān)的生產(chǎn)能力,從而幫助電路設(shè)計(jì)人員節(jié)省元件密集的電路板上的空間。
MITI-7超小型磁簧開關(guān)和MISM-7表面貼裝磁簧開關(guān).
工作電源電流:1.2 mA 關(guān)閉:No Shutdown CMRR - 共模抑制比:65 dB 系列:LM358 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 放大器類型:Low Power Amplifier 高度:1.5 mm 長(zhǎng)度:5 mm 產(chǎn)品:Operational Amplifiers 電源類型:Single, Dual 技術(shù):Bipolar 寬度:4 mm 商標(biāo):ON Semiconductor 雙重電源電壓:+/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V 最大雙重電源電壓:+/- 16 V 最小雙重電源電壓:+/- 1.5 V 工作電源電壓:3 V to 32 V, +/- 1.5 V to +/- 16 V 產(chǎn)品類型:Op Amps - Operational Amplifiers PSRR - 電源抑制比:65 dB
差分概念還提供了高水平的雜散場(chǎng)抗干擾能力,可支持更高密度的電力電子設(shè)備,因?yàn)閭鞲衅魇芨浇s散磁場(chǎng)的影響較小。
根據(jù) IEC/UL-62368,SOIC8 封裝的額定隔離水平為 2.4 kVrms,而 SOIC16 寬體封裝的額定隔離水平是其兩倍,達(dá)到 4.8 kV。SOIC16 封裝引腳數(shù)更多且導(dǎo)體厚度更大,因此還能提供更低的初級(jí)導(dǎo)體電阻。
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